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Gültigkeit des Amorphisierungsmodelles bei Implantation von Dotierstoffen

Bereits in den physikalischen Grundlagen wurde auf das unterschiedliche Verhalten der Dotierstoffe bei der Bildung von primären Punktdefekten hingewiesen (siehe Abbildung 2.27). Das hier vorgestellte Amorphisierungsmodell unterscheidet jedoch mathematisch nicht zwischen diesen verschiedenen Generationsmechanismen.

Eine notwendige Bedingung für seine Anwendbarkeit ist die Gültigkeit des CED Modelles. Wann diese Voraussetzung nicht mehr erfüllt ist, kann aber nur an Hand eines konkreten Anwendungsbeispieles entschieden werden.

Betrachtet man z.B. die Damage-Bildung durch Arsen-Ionen: Bei ihnen dominiert der Energieverlust durch nukleare Streuung. Demgemäß werden die PKA s in kürzeren Abständen und mit höheren Energien erzeugt, als z.B.\ bei einer vergleichbaren Silicon self-implantation. An den Stößen in der Kaskade selbst, sind jedoch wieder nur Siliziumatome beteiligt! Die physikalischen Vorgänge in der Stoßkaskade lassen sich somit auf den untersuchten Fall zurückgeführen. Der Schluß liegt daher nahe, daß das Amorphisierungsmodell auch auf andere Ionenarten anwendbar ist. Genaugenommen müßte allerdings wieder die Reichweite der Zwischengitteratome berücksichtigt werden.

Solange aber entsprechende experimentelle Daten nicht vorliegen, können keine fundierteren Aussagen getroffen und die Silizium-Modellparameter der Ortsabhängigkeit von tex2html_wrap_inline13207 müssen auch für die anderen Ionenarten verwendet werden.



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