LATIPS (,,Large-Angle-Tilt Implanted Punch-Through Stopper``)

Auf Grund der inhärent schlechten Punch-Through-Eigenschaften von Buried channel p-MOSFET s ist eine Verkleinerung dieser Transistoren in den Sub-Mikrometerbereich schwierig [Kla84]. Dieses Problem wird gelöst, indem an die -Source/Drain Bereiche angrenzend ein n-Gebiet implantiert wird [Oda86].

Mit LAT Implantationstechniken kann eine solche Struktur ohne Verwendung eines Spacers sehr leicht erzeugt werden, wie Abbildung 6.23 b veranschaulicht. Eine typische Implantationssequenz wäre z.B.:

1.

Phosphor, 90keV, , Kippwinkel 25 zwei Drehungen um 180 und

2.

, 40keV, , Kippwinkel 7.

Nach der Implantation genügt zur Aktivierung des Dotierstoffes ein RTA\ Schritt. In [Hor88b] wird gezeigt, das die Punch-Through Charakterisitik von Transistoren durch die LATIPS Struktur gegenüber konventionell gefertigten Bauteilen erheblich verbessert wird. Dieser Fortschritt konnte ohne wesentliche Beeinflussung des Kurzkanalverhaltens erzielt werden.

Diese positiven Eigenschaften sind in erster Linie auf die präzise Positionierung der n-Dotieratome zwischen der Source/Drain junction und der vergrabenen p-channel junction zurückzuführen. Dies wird wiederum durch geeignete Wahl des Kippwinkels und der Ionenenergie ermöglicht. Die maximale Konzentration der vergrabenen n-Bereiche wird mittels der Implantationsdosis eingestellt.