Kippwinkel
Abbildung 6.24: Vergleich des Simulationsergebnisses mit
der SIMS Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das
Histogramm der Monte Carlo Simulation, die punktierte Linie und die Symbole
kennzeichnen die experimentellen Daten.
Abbildung 6.25: Simulation einer Punktantwort mit 30keV-Arsen-Ionen und die
daraus resultierende Arsen-Konzentration in [cm-3]. Der
Wafer wurde dabei um 30 gegenueber der [100]-Richtung
gekippt (LAT Implantation).
Abbildung 6.26: Simulation einer Punktantwort mit 30keV-Arsen-Ionen und die
daraus resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration in cm[-3].
Der Wafer wurde dabei um 30 Grad gegenueber der
[100]-Richtung gekippt (LAT Implantation).