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2.1.3 Implantationsdosis

Die Anzahl der implantierten Ionen pro ,,Wafer``-Oberflächeneinheit wird Teilchenfluß oder Dosis (,,Dose``) genannt und variiert zwischen 10tex2html_wrap_inline11973 für MOSFET ,,Threshold adjust`` Implantationen und 10tex2html_wrap_inline11975 für vergrabene Isolationsschichten (,,Buried insulator layers``). Die Dosis wird bestimmt, indem man die Anzahl der Ladungen, die zum Neutralisieren der implantierten Ionen benötigt werden, elektrisch mißt.



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