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5.1 Ziele und Voraussetzungen

Da der maßgebliche Einfluß der Punktdefektdichten auf RTA Prozesse seit langem bekannt ist [Cho85, Sei85], wurde bereits in [Hob88b] gezeigt, daß ihre Verteilungen erfolgreich mittels analytischen Funktionen im ein- und zweidimensionalen Fallgif modelliert werde können, wenn man Gauß- und Exponentialfunktionen an die Ergebnisse von Monte Carlo Simulationen anpaßt. Prinzipiell könnte man daher diese Ergebnisse extrapolieren und jene Implantationsdosen erhalten, die zu einer Amorphisierung des Materials führen würden.

Nach wie vor existieren zwei ungelöste Problemkreise:

Das Ziel des neuen Modelles [Boh96] für einkristallines Silizium ist die Bestimmung mehrdimensionaler amorpher Schichten innerhalb eines Substrattemperaturbereiches von 0 bis 400tex2html_wrap_inline13143.

Dabei sollen die wichtigsten Parameter, die diesen Vorgang beeinflussen, berücksichtigt werden:

Als Ausgangspunkt wurde das kritische ,,Damage``-Energiedichte Modell (,,Critical damage-energy-density (CED) model``) [Mul73, Voo73] gewählt. Hier wird angenommen, daß der kristalline Zustand genau dann in einen amorphen übergeführt wird (siehe Kapitel 2.8.2), wenn die von den eindringenden Ionen in Form von nuklearen Stößen an das Gitter abgegebene Energie einen Schwellwert tex2html_wrap_inline13151 überschreitet. Dabei ist tex2html_wrap_inline13151 von der Temperatur, der Ionenenergie und vom Ort abhängig.



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