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5.2.1 Implantationsrandbedingungen

Maszara und Rozgonyi implantierten einen 3'' p-dotierten (100) Silizium-,,Wafer`` mit 150keV und 300keV tex2html_wrap_inline13159 Ionen. Dabei variierten sie die Dosis D zwischen tex2html_wrap_inline13163, wobei die Dosisrate tex2html_wrap_inline13165 betrug. Da -- wie schon des öfteren erwähnt -- die Temperatur T eine große Rolle bei der Defektbildung spielt, wurde die Probenhalterung mit flüssigem Stickstoff (tex2html_wrap_inline13169), mit einem Trockeneis-Aceton-Gemisch, mit einem Eis-Wasser-Gemisch und mit Wasser bei Raumtemperatur (tex2html_wrap_inline13171) gekühlt. Zusätzlich wurde die Temperatur der Halterung noch mit einem Infrarot-Thermometer (Spektralbereich 7 bis tex2html_wrap_inline13173) gemessen, um den globalen Temperaturanstieg während der Implantation zu überwachen (tex2html_wrap_inline13175). Dadurch konnten konstante Substrattemperaturen von 82, 197, 274 und 296tex2html_wrap_inline13143 erzielt werdengif.

Um nun die Gitterschäden des implantierten Wafers untersuchen zu können, wurde ein Cross-section transmission electron Mikroskop (X-TEM) verwendet. Abbildung 5.1 zeigt eine komplette Sequenz von X-TEM Bildern, die eindrucksvoll die Entwicklung der primären Implantationsschäden und das Enstehen einer amorphen Schicht zeigen, wenn D bei tex2html_wrap_inline13171 kontinuierlich erhöht wird.

Basierend auf solchen X-TEM Aufnahmen konnte die Lage der amorphen Schichten vermessen und die Dicke der amorphen-kristallinen (a/k) Grenzschichten ermittelt werden. Dabei wurden nur solche Gebiete als amorph angesehen, die keine sichtbaren Mikrokristallite enthielten.



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