Viele Untersuchungen an Leistungshalbleitern wurden unter isothermischen Verhältnissen mit dem Drift-Diffusionsmodell durchgeführt (z.B. [5], [6], [122]). Die ersten thermoelektrischen Analysen des Thyristors [3], [4], [7], [8], [137], [138], [139], [171] und des bipolaren Leistungstransistors [12], [40], [74], [77], [78], [79], [136], [144], [145], [196] beruhen auf heuristischen Modellen des Wärmetransports. Die Leistungsdiode stellt ein weiteres Anwendungsgebiet für thermoelektrische Bauelementesimulatoren dar [102], [133], [154].
Von den neueren Leistungshalbleiterbauelementen ist der IGT (Insulated Gate Transistor) vielfach untersucht worden [16], [20], [21], [33], [85], [140]. Ergebnisse von Simulationen thermoelektrischer Effekte in MOS-Transistoren sind in [42], [73], [127], [164], [190] zu finden. Selbsterwärmungseffekte interessieren in SOI-Bauelementen, weil Siliziumdioxid ein schlechter Wärmeleiter ist [14], [204]. Diese Simulationen wurden durchwegs auch schon mit fortgeschritteneren thermoelektrischen Transportmodellen durchgeführt.
Darüber hinaus sind immer wieder Spezialeffekte untersucht worden. Als Beispiele sind Phänomene der Elektromigration [142] und der elektrostatischen Entladung [205] zu nennen.
In dieser Arbeit wird das Verhalten eines GTO-Thyristors (Gate Turn Off) im Durchlaßbereich bei guter und schlechter Wärmeabfuhr untersucht. Die Abhängigkeit des sicheren Einsatzbereichs eines IGT's von Selbsterwärmungsvorgängen wird anhand thermoelektrischer Simulationen unter verschiedenen thermischen Randbedingungen analysiert.