index

6.1.1 Low-Noise HFET LN-16

Der im folgenden beschriebene DH-HFET für rauscharme Anwendungen (Low-Noise DH-HFET) LN-16 besitzt die einfachste Struktur aller im Rahmen dieser Arbeit untersuchten DH-HFETs. Es handelt sich um einen symmetrischen DH-HFET, der mit Hilfe des beschriebenen selbstjustierenden Prozesses (Kapitel 2) hergestellt wurde. Abbildung 6.1 zeigt einen vereinfachten Querschnitt dieses DH-HFET. Die nominalen Abmessungen dieser Struktur werden in den Tabellen 6-1 und 6-2 zusammengefaßt.

Abbildung 6.1: Schematischer Querschnitt des DH-HFET LN-16.

Tabelle 6-1: Laterale Abmessungen, Recesstiefe und Gate-Kanal Abstand des DH-HFET LN-16.

Tabelle 6-2: Materialparameter und Schichtdicken des DH-HFET LN-16.