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2.4 MESFET, HFET und HBT

Die unipolaren Bauelemente auf GaAs-Basis - MESFET und HFET - verfügen im Vergleich zum bipolaren HBT über einen großen zeitlichen Entwicklungsvorsprung. Zwar sind HFETs, MESFETs und HBTs in Anwendungsgebieten bis etwa 30 GHz recht gleichmäßig vertreten, jedoch dominiert der HFET bei den Frequenzen des Millimeterwellenbereichs, obwohl auch MESFET-Schaltungen und diskrete HBTs gute Ergebnisse liefern. Allerdings ist der HFET gegenüber MESFET und HBT heute noch aus Qualitätsgründen im gesamten Millimeterwellenbereich nur schwer zu überbieten [74].

Die Vorteile der unipolaren Bauelemente gegenüber dem HBT liegen auf der Hand:

Im Gegenzug weisen die HBTs durchaus auch einige Vorteile gegenüber den unipolaren Bauelementen auf:

Die Steilheit gm ist beim HBT generell höher als bei den unipolaren Bauelementen und meist auch bei niedrigen Strömen bereits sehr hoch. Sie zeigt eine exponentielle Abhängigkeit von der Basis-Emitterspannung Vbe, während bei MESFET und HFET nur lineare oder quadratische Abhängigkeiten zu beobachten sind.

Insgesamt überwiegen die Vorteile des HFET die der MESFETs, aber auch die der HBTs. Selbst im Vergleich zu den weit verbreiteten Si-Bipolartransistoren schneidet der HFET bei fortschreitender technologischer Entwicklung immer besser ab. Die Vorteile der Si-Bipolartransistoren sind derzeit noch:

Die Vorteile der GaAs-Bauelemente werden umso entscheidender, je höher die Frequenzen werden. Zwar sind auch bei den Si-Bipolartransistoren Grenzfrequenzen bis 60 GHz erreicht worden, aber die geringere Spannungsfestigkeit des Si bei höheren Frequenzen führt dazu, daß Si-Bipolartransistoren trotz der dreifachen thermischen Leitfähigkeit gegenüber GaAs für Leistungsanwendungen lediglich bis zu einigen GHz in Frage kommen. Die bisher höchsten, mit DH-HFETs erreichten Grenzfrequenzen liegen bei ft = 150 GHz und fmax = 350 GHz [9]. Die wichtigsten Vorteile der GaAs-Bauelemente gegenüber den Si-Transistoren sind:

Diese Aufzählung zeigt, daß GaAs-Bauelemente in Zukunft weitere Marktanteile besetzen werden, wenn nicht andere Materialien, die zur Zeit Gegenstand intensiver Untersuchungen sind, zusätzliche Vorteile bieten. Neue Materialien sind z.B. InP- und InAlAs- Verbindungen, sowie Verbindungen aus der IV. Hauptgruppe des Periodensystems, wie z.B. SiGe.