In vielen Simulationsprogrammen wird das Vorauswissen, das der Programmierer über die Halbleitergleichungen hat, in die Dämpfungsstrategie eingebracht. Eine ähnliche Methode wurde auch in dem neuen Simulator mit gutem Erfolg integriert. Dabei wird davon ausgegangen, daß die Trägerkonzentrationen etwa exponentiell vom Potential abhängen. Wenn die Änderung des Potentials viele Temperaturspannungen beträgt, so werden sich die Trägerkonzentrationen ebensooft mit dem Faktor e (der EULERschen Zahl) vergrößern. Diese können beim nächsten Zyklus übergroße Änderungen des Potentials hervorrufen. Um das zu verhindern, wird bei großen Änderungen des Potentials mit einem Faktor gedämpft, der die größte Änderung etwa auf ihren Logarithmus herabsetzt:
Die Dämpfung wird aus der größten Änderung für das Potential berechnet, aber für den ganzen Änderungsvektor verwendet.
Der Parameter 
muß diesmal nur
erfüllen; je größer er ist, umso restriktiver ist wieder die Dämpfung.
