2.6.3 Substrat-MOSFET



next up previous contents
Next: 2.6.4 CP-Experiment Up: 2.6 Genauigkeit des Verfahrens Previous: 2.6.2 SOI-MOSFET

2.6.3 Substrat-MOSFET

Anstatt des Source-Kontaktes werden in Tabelle 2.4 die Ströme am Substratkontakt wiedergegeben. Die Kontaktpotentiale sind an allen Kontakten gleich Null. Die Resultate sind den vorhergehenden analog. Die Elektronenströme am Source- und Drain-Kontakt sind beim Linienintegral groß, weil die Linienintegration in hoch dotierten Gebieten erfolgt. Die Werte sind allerdings kleiner als bei den SOI-Bauelementen, da beim gegenständlichen MOSFET die Dotierung der Source-Drain-Gebiete um ca. Zehnerpotenzen kleiner ist.

  
Tabelle 2.4: Substrat-MOSFET im thermodynamischen Gleichgewicht. Alle Werte in .



Martin Stiftinger
Fri Oct 14 21:33:54 MET 1994