Ein für das CP-Experiment in der Dünnfilm SOI 
-Diode
sehr wichtiger Parameter ist die Substratspannung 
,
die den Zustand des Backinterface steuert.
Entsprechendes gilt bei Vertauschung der Rollen beider
Grenzflächen für das Frontinterface.
Das Backinterface ist für
hohe positive Werte von
in Inversion, für hohe negative
in Akkumulation und für geringe
Werte beider Polarität von in Depletion.
Im Falle von Inversion oder Akkumulation am
Backinterface bewirkt die
Inversions- oder Akkumulationsschicht
ebendort
ein Festhalten des elektrostatischen Potentials.
Das bedeutet, daß selbst bei einem sehr dünnen
Siliziumfilm und einer hohen Amplitude der Frontgate-Spannung
die Potentialvariationen des Backinterface sehr gering
sind. Diese Potentialvariationen reichen
nicht aus, ein akkumuliertes Backinterface
während einer Halbperiode der Frontgate-Spannung
zu invertieren bzw. ein invertiertes Backinterface
während einer Halbperiode der Frontgate-Spannung
zu akkumulieren; mit anderen Worten,
der CP-Effekt tritt am Backinterface nicht auf und
die beiden Grenzflächen sind potentialmäßig entkoppelt.
Die Verhältnisse liegen anders, wenn das Backinterface
in Depletion ist. In diesem Fall tritt eine
Potentialkopplung beider Grenzflächen auf,
deren Ausmaß in erster Linie von der
Substratdotierung 
abhängt.
Auch das Profil einer allfälligen Kanalimplantation
hat darauf Einfluß, doch wird im folgenden
stets eine homogene Substratdotierung angenommen.
Bei einer niedrigen Filmdotierung erstreckt
sich die Depletionszone unter dem Frontgate
über den gesamten Film bis zum Backinterface.
In diesem Fall ist die Potentialkopplung zwischen
beiden Grenzflächen so stark, daß
Ladungsträger über die Grenzflächen-Störstellen
des Backinterface simultan mit denen des Frontinterface
gepumpt werden.
Das CP-Signal setzt sich nunmehr
aus den Rekombinationsströmen beider Grenzflächen
zusammen und wird entsprechend größer.
Für eine Parameterextraktion ist dieser
Fall ungünstig, da eine getrennte Bestimmung
der Parameter beider Grenzflächen
nicht mehr möglich ist.