Bei einer für das CP-Experiment ungünstigen
Geometrie und bei steilen Pulsrampen (kurze 
)
entsteht eine weitere Komponente im Gleichanteil
der transienten Kontaktströme, die nicht
auf den CP-Effekt zurückführbar ist.
Eine solche Komponente im CP-Signal wird durch parasitäre Rekombination
an den Grenzflächen erzeugt,
wobei in erster Linie die
Kanallänge 
und die Siliziumfilmdicke 
eine charakteristische Größe ist:
Im Fall einer Langkanaldiode auf dünnem Siliziumfilm
können Ladungsträger vom Frontinterface
leicht zum invertierten oder
akkumulierten Backinterface gelangen.
Diese Ladungsträger, die von der Akkumulations- oder
Inversionsschicht des Frontinterface stammen,
rekombinieren am Backinterface, wodurch
das CP-Signal stark vergrößert wird.
Charakteristisch
für das Auftreten solcher CP-Komponenten ist
die starke Abhängigkeit von den Rampensteilheiten der
Frontgate-Spannung: Je steiler die Rampe,
desto weniger Zeit besteht für die mobilen Ladungsträger
am Frontinterface zu den Kontakten abzufließen, und
desto mehr dieser Ladungsträger können
zum Backinterface gelangen.
Ein verwandter Effekt tritt
beim CP-Experiment in Substrat-MOSFETs auf und wurde bereits von
den Entdeckern des CP-Effektes beschrieben [11],
siehe auch Abschnitt 1.3.3.
Brugler und Jespers bezeichneten den durch die Transistorgeometrie
bedingten parasitären Beitrag zum CP-Signal als
geometrische Komponente. Die Mechanismen,
die zu einem parasitären Beitrag zum CP-Signal
in Dünnfilm SOI-Bauelementen führen, sind jedoch
komplexer als in Substrat-MOSFETs. Deshalb soll dafür
die generische Bezeichnung dimensionale Komponente,
wie in [76] vorgeschlagen, verwendet werden.