In diesem Abschnitt wird gezeigt, wie eine Reihe von
Bauelement-Parametern aus den Meßergebnissen von
CP-Experimenten gewonnen werden kann
(siehe Tabelle 4.1).
Diese Parameter sind im wesentlichen die
für das CP-Signal effektive Kanallänge
(
, Abschnitt 4.3.1), die durch das
Source/Drain-Profil bestimmt wird,
die Dichte der Grenzflächen-Störstellen am
Front- und Backinterface (
, Abschnitt 4.3.2),
die mittleren Einfangquerschnitte
(
, Abschnitt 4.3.2)
und die Verteilung der Störstellen in Teilen des verbotenen
Bandes (Abschnitt 4.3.3).
Über verschiedene Parameter sind keine genauen Daten vorhanden.
So ist für die Oxiddicke des Frontgate-Oxides
in [76] der Bereich 
abgegeben.
In solchen Fällen werden entsprechende Schätzwerte
angenommen, z.B. im gegenständlichen Fall
der Wert 
=
. Ebenso ist die
Substratdotierung 
ein grober Schätzwert.
Auf Details weiterer Parameter wird in den folgenden
Abschnitten eingegangen.
Tabelle: Eingabeparameter zur Simulation der Dünnfilm SOI 
-Diode.
, 
