4.6 Zusammenfassung und Ausblick



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4.6 Zusammenfassung und Ausblick

 

Die in diesem Kapitel dargelegten numerischen Ergebnisse stellen den ersten ernsthaften Versuch dar, das Charge Pumping Experiment in SOI Strukturen durch selbstkonsistente Simulationen vollständig zu beschreiben. Der Rahmen dieser Berechnungen ist physikalisch eingegrenzt durch die Shockley-Read-Hall Theorie und die klassischen Halbleitergleichungen. Hinsichtlich der Numerik wurden die Simulationen in zwei räumlichen, einer zeitlichen und einer energetischen Dimension durchgeführt. Die Gültigkeit dieser Modelle wurde durch den Vergleich mit Meßergebnissen überprüft und kritische Bereiche von Parametern isoliert.
Mit einem Minimum an Kenntnis wichtiger Parameter können kritische Effekte, die beim CP-Experiment in Dünnfilm SOI -Dioden auftreten, simuliert werden: Die Grenzflächenkopplung und der Effekt dimensionaler Signalanteile, die eine Folge der Diodengeometrie sind.
Weiterführende CP-Experimente [23] auf Dünnfilm SOI -Dioden lassen eine räumlich stark inhomogene Verteilung der Grenzflächen-Zustände vermuten. Solche Inhomogenitäten treten mit großer Wahrscheinlichkeit sowohl in lateraler Richtung an den Dotierungsgrenzen als auch in Kanalweitenrichtung an der LOCOS Kante auf. Durch CP-Experimente mit lateraler Profilierung kann Aufschluß über die räumliche Verteilung der Störstellen gewonnen werden. Das Einbringen solcherart gewonnener Verteilungen in die numerische Simulationen wird zweifellos zu einem besseren Verständnis des Verlaufs der CP-Signale führen. Gleichermaßen wichtig ist die Identifikation der energetischen Störstellen-Verteilung am Backinterface durch geeignete Experimente. Es ist zu vermuten, daß erst dann eine eindeutige Unterscheidung zwischen den dimensionalen Komponenten einerseits und den Komponenten des CP-Signals der Störstellen am Backinterface andererseits möglich sein wird.



Martin Stiftinger
Fri Oct 14 21:33:54 MET 1994