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Majoritätselektronen Up: Dissertation
G. Kaiblinger-Grujin Previous: 3.5
Zustand nach der Streuung
In diesem Kapitel werden wir anhand von Monte-Carlo-Simulationen einzelne
physikalische Effekte zur Theorie der ionisierten Störstellenstreuung
und deren direkte Auswirkung auf die Niederfeldbeweglichkeit der Elektronen
in Silizium diskutieren. Als Vergleichsbasis wird uns das BH-Modell dienen,
welches praktisch in jedem Halbleiterbuch als Basis zur Beschreibung der
Streuung von Elektronen an ionisierten Störstellen Verwendung findet.
Das im Zuge dieser Arbeit entwickelte umfassendere Modell wird durch Hinzufügung
bestimmter Korrekturen zum BH-Modell anhand von Simulationsbeispielen erläutert
und mit experimentellen Daten kritisch verglichen.