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4 Monte-Carlo-Simulationen

In diesem Kapitel werden wir anhand von Monte-Carlo-Simulationen einzelne physikalische Effekte zur Theorie der ionisierten Störstellenstreuung und deren direkte Auswirkung auf die Niederfeldbeweglichkeit der Elektronen in Silizium diskutieren. Als Vergleichsbasis wird uns das BH-Modell dienen, welches praktisch in jedem Halbleiterbuch als Basis zur Beschreibung der Streuung von Elektronen an ionisierten Störstellen Verwendung findet. Das im Zuge dieser Arbeit entwickelte umfassendere Modell wird durch Hinzufügung bestimmter Korrekturen zum BH-Modell anhand von Simulationsbeispielen erläutert und mit experimentellen Daten kritisch verglichen.


 



Kaiblinger-Grujin Goran
1997-12-06