4.1.5 Räumlich ausgedehnte Störstellen

 

Abbildung 4.7: Einfluß des Formfaktors auf die Elektronenbeweglichkeit in n-Si als Funktion der Dotierung bei 300 K. Im Vergleich dazu das BH-Modell. Die experimentellen Daten sind [MSS83] entnommen und beziehen sich auf P-dotiertes Si.

Der Einfluß einer räumlich ausgedehnten Störstelle, oder gleichbedeutend, eines q-abhängigen Formfaktors auf die Beweglichkeit in n-dotiertem Si ist in Abbildung 4.7 zu sehen. Es sei nochmals darauf hingewiesen, daß die Simulationen mit einem $\epsilon$ von 11.7 durchgeführt wurden. Jegliche starke Änderung dieses Wertes hat erhebliche Auswirkungen auf die Reichweite der Elektronenverteilung und damit auf die Dopandenabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit.

 

Abbildung 4.8: Die Elektronenbeweglichkeit als Funktion der Dotierung bei 300 K unter Berücksichtigung von dispersiver Abschirmung, Paarstreuung, zweiter Born-Korrektur, Elektron-Plasmon Streuung und Pauli-Prinzip bei Annahme einer räumlich ausgedehnten Störstelle. Die experimentellen Daten sind [MSS83] entnommen.

 

Abbildung 4.9: Die Elektronenbeweglichkeit als Funktion der Donatorkonzentration bei 300 K in P-, As- und Sb-dotiertem Si.

 

Abbildung 4.10: Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen als Funktion der Akzeptorkonzentration bei 300 K in Si. Die experimentellen Daten für B-Si sind aus [Dzi79,LN93,SKS86] und für P-Si aus [MSS83].