5.1.1 Temperaturabhängigkeit

Next: 5.1.2 Dotierungsabhängigkeit Up: 5.1 Beweglichkeit von Majoritätselektronen Previous: 5.1 Beweglichkeit von Majoritätselektronen

5.1.1 Temperaturabhängigkeit

Abbildung 5.3: Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) als Funktion der Temperatur T bei drei verschiedenen Konzentrationen für P-, As- und Sb-dotiertes Silizium.

$\begin{figure}\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}\psfrag{1h}{\raiseb... ...ajtmp2phd.eps}}\end{center}\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}$

Abbildung 5.4: Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) als Funktion der Temperatur T in P-dotiertem [CTZL63, LT77,Swi87] und As-dotiertem [MM54] Silizium.

$\begin{figure}\psfrag{chap119}{\footnotesize\hspace{-1.6cm}$1.6\!\cdot\!10^{19}... ...tmpexpphd.eps}}\end{center}\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}$

Kaiblinger-Grujin Goran
1997-12-06