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Abbildung 5.5:
Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) bei 77 K in P-, As- und Sb-dotiertem Si. Experimentelle
Daten sind aus [OFM63,YMS67].
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Abbildung 5.6:
Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) in P-, As- und Sb-Si bei 300 K. Experimentelle Daten sind [Wol60,Irv62,YMS67,MSS83]
entnommen.
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Abbildung 5.7:
Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) in P-dotiertem Si bei 300 K als Funktion der Donatorkonzentration 
. Experimentelle Daten aus [Bac57,OFM63,YMS67,MOP74,MSS83].
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Abbildung 5.8:
Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) in As-dotiertem Si bei 300 K als Funktion der Donatorkonzentration 
. Experimentelle Daten aus [Bac57,Wol60,Irv62,OFM63,MSS83].
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Abbildung 5.9:
Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration 
und der
Temperatur T in
P-dotiertem Si.
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Abbildung 5.10:
Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration 
und der
Temperatur T in
As-dotiertem Si.
![\begin{figure}
\vspace{1cm}
\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}
\psfra...
...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}](img639.gif) |
Abbildung 5.11:
Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration 
und der
Temperatur T in
Sb-dotiertem Si.
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Abbildung 5.12:
Vergleich der Elektronenbeweglichkeiten nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration 
und der
Temperatur T in
P- und As-dotiertem Si.
![\begin{figure}
\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}
\psfrag{x-tmp}{$T$\...
...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}](img645.gif) |
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Kaiblinger-Grujin Goran
1997-12-06