D I S S E R T A T I O N

Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen

ausgeführt zum Zwecke der Erlangung des akademischen Grades
eines Doktors der technischen Wissenschaften
eingereicht an der Technischen Universität Wien
Fakultät für Elektrotechnik

von

Christian Köpf

Columbusgasse 55
A-1100 Wien
Matrikelnummer 8626012
geboren am 27. Oktober 1968 in Wien

Wien, im Oktober 1997

   

• Kurzfassung
• Abstract
• Danksagung
• Abkürzungen
• 1 Einleitung
  • 1.1 III-V Halbleiter
  • 1.2 Halbleiterlegierungen
  • 1.3 Heterostrukturen
    • 1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen
    • 1.3.2 Verspannte Schichten
• 2 Modellierung
  • 2.1 Größenhierarchie
  • 2.2 Modellhierarchie
  • 2.3 Berücksichtigte Größen
• 3 Fundamentale Halbleitereigenschaften
  • 3.1 Kristallstruktur
  • 3.2 Bandstruktur
    • 3.2.1 Statistik der Ladungsträger
  • 3.3 Phononen
  • 3.4 Legierungen
    • 3.4.1 Ternäre Legierungen
    • 3.4.2 Quaternäre Legierungen
• 4 Fundamentale Größen
  • 4.1 Modellierung
    • 4.1.1 Ternäre Legierungen
    • 4.1.2 Quaternäre Legierungen
    • 4.1.3 Mechanische Spannung
• 5 Abgeleitete Größen
  • 5.1 Bandkantenenergie
    • 5.1.1 Materialabhängigkeit
    • 5.1.2 Temperaturabhängigkeit
    • 5.1.3 Dotierungsabhängigkeit
    • 5.1.4 Einfluß mechanischer Spannung
    • 5.1.5 Kombination
  • 5.2 Effektive Masse
    • 5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode
    • 5.2.2 Materialabhängigkeit
    • 5.2.3 Temperaturabhängigkeit
    • 5.2.4 Dotierungsabhängigkeit
    • 5.2.5 Einfluß mechanischer Spannung
    • 5.2.6 Kombination
• 6 Zusammengesetzte Größen
  • 6.1 Elektronenbeweglichkeit
    • 6.1.1 Berechnung
    • 6.1.2 Analytische Lösung
    • 6.1.3 Numerische Lösung
    • 6.1.4 Monte Carlo Methode
    • 6.1.5 Materialabhängigkeit
    • 6.1.6 Temperaturabhängigkeit
    • 6.1.7 Dotierungsabhängigkeit
    • 6.1.8 Einfluß mechanischer Spannung
    • 6.1.9 Einfluß des elektrischen Feldes
  • 6.2 Banddiskontinuitäten an Heterogrenzschichten
    • 6.2.1 Allgemeine Modelle
    • 6.2.2 Selbstkonsistente Rechnungen für spezielle Grenzflächen - SCIC
    • 6.2.3 Gitterangepaßter Fall - die AlGaAs/GaAs Grenzfläche
    • 6.2.4 Einfluß mechanischer Spannung - die GaInAs/GaAs Grenzfläche
• 7 Zusammenfassung und Ausblick
• A Materialparameter
• Literatur
• Eigene Publikationen
• Abbildungsverzeichnis
• Tabellenverzeichnis
• Index
• Lebenslauf
• Über dieses Dokument ...