Abbildungsverzeichnis

• 1.1 Gitterkonstante und Bandlücke für verschiedene III-V Halbleiter
• 2.1 Hierarchie physikalischer Größen
• 3.1 Elementarzelle des kubisch flächenzentrierten Gitters
• 3.2 Kristallaufbau der Zinkblendestruktur
• 3.3 Brillouinzone des kubisch flächenzentrierten Gitters
• 3.4 Bandstruktur von GaP
• 3.5 Bandstruktur von GaAs
• 3.6 Phononenspektrum von GaAs
• 4.1 Pseudomorphe Struktur gitterfehlangepaßter Halbleiter
• 4.2 Nichtpseudomorphe Struktur gitterfehlangepaßter Halbleiter
• 4.3 Kritische Schichtdicke für pseudomorphes Wachstum von Ga_xIn_1-xAs auf GaAs
• 4.4 Normierte elastische Restverzerrung versus normierter Schichtdicke für Ga_xIn_1-xAs auf GaAs nach dem MB Modell (4.15)
• 4.5 Normierte elastische Restverzerrung versus normierter Schichtdicke für Ga_xIn_1-xAs auf GaAs nach dem heuristischen Ansatz (4.17)
• 4.6 Normierte elastische Restverzerrung versus normierter Schichtdicke für Ga_xIn_1-xAs auf GaAs nach thermischer Ausheilung (4.18)
• 5.1 Bandkantenenergien für unverspannte und kompressiv belastete III-V HL
• 5.2 Bandkantenenergien von Ga_0.75In_0.25As unter Einfluß biaxialer Verspannung
• 5.3 Direkte Bandlücke von Ga_xIn_1-xAs für verschiedene Legierungszusammensetzungen unter biaxialer Verspannung
• 5.4 Änderung der direkten Bandlücke von Ga_xIn_1-xAs für pseudomorphes Wachstum auf InP unter Verspannung, ${E_{\mathrm{str}}^{\varGamma}}(x)-{E_{\mathrm{}}^{\varGamma}}(x)$
• 5.5 Direkte Bandlücke von Ga_xIn_1-xAs für den unverspannten Fall und pseudomorphes Wachstum auf GaAs, InAs und InP
• 5.6 Vergleich der mittels $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Theorie berechneten und approximierten Werte von $m_{\Vert}^{\varGamma}$, $m_{\perp}^{\varGamma}$ und ${m_{\mathrm{d}}^{\varGamma}}$ für Ga_xIn_1-xAs
• 5.7 Vergleich der mittels $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Theorie und ``tight-binding'' Methode berechneten Werte von $m_{\Vert}^{\varGamma}$ und $m_{\perp}^{\varGamma}$ für Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As auf GaAs
• 6.1 Nullfeldbeweglichkeit aufgrund einzelner Streuprozesse und nach Matthiessen kombinierte Gesamtbeweglichkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As als Funktion der Zusammensetzung ($T= 300\,\mathrm{K}$, $N_{\mathrm{D}}=10^{15}\,\mathrm{cm}^{-3}$)
• 6.2 Nullfeldbeweglichkeit aufgrund einzelner Streuprozesse und nach Matthiessen kombinierte Gesamtbeweglichkeit in Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As als Funktion der Temperatur ($N_{\mathrm{D}}=10^{15}\mathrm{cm}^{-3}$)
• 6.3 Vergleich von MC Daten und analytisch berechneter (Matthiessen) Beweglichkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As (undotiert)
• 6.4 Einfluß von Legierungsstreuung auf die Beweglichkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As (undotiert)
• 6.5 Vergleich des analytischen Modells für $\mu_{\mathrm{LA}}^{}(x)$ mit den MC Daten der Beweglichkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As (undotiert) für maximale und minimale Legierungsstreuung
• 6.6 Einfluß von Legierungsstreuung auf die Beweglichkeit in Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As und Ga<sub>0.75</sub>In<sub>0.25</sub>As (undotiert) - Vergleich des analytischen Modells für $\mu_{\mathrm{LA}}^{}$ mit den MC Daten
• 6.7 Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit in undotiertem GaAs
• 6.8 Dotierungsabhängigkeit der Beweglichkeit in GaAs
• 6.9 Vergleich der Gleichgewichtsenergie für Elektronen im $\varGamma$ Tal und der totalen Elektronenenergie von MC Daten (BH) mit theoretischen Werten in n-GaAs. Die Ladungsträgerenergien sind normiert auf $k_{\mathrm{B}}\,T$ als Funktion der reduzierten Fermienergie und der Ladungsträgerkonzentration dargestellt.
• 6.10 Dotierungsabhängigkeit der Beweglichkeit in GaAs für verschiedene Donatoren
• 6.11 Charakteristische Streugröße $(Z-F(\theta))^2$ für verschiedene Donatoren in GaAs
• 6.12 Elektronenbeweglichkeit für verschiedene Donatoren in GaAs: Vergleich von MC Daten mit dem analytischen Modell (6.60)
• 6.13 Dotierungsabhängigkeit der Beweglichkeit in Sn dotiertem GaAs für verschiedene Werte der Kompensation $\theta$
• 6.14 Einfluß von Autokompensation auf die Dotierungsabhängigkeit der Beweglichkeit in GaAs
• 6.15 Dotierungsabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit in p-GaAs
• 6.16 Dotierungsabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit in p-GaAs für verschiedene Akzeptoren
• 6.17 Charakteristische Streugröße $(Z-F(\theta))^2$ für verschiedene Akzeptoren in GaAs
• 6.18 Elektronenbeweglichkeit für verschiedene Akzeptoren in GaAs: Vergleich von MC Daten mit dem analytischen Modell (6.61)
• 6.19 Elektronenbeweglichkeit parallel zur Grenzfläche $\mobpar{}$ in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Zusammensetzungen als Funktion der Verspannung $e_\Vert$
• 6.20 Elektronenbeweglichkeit normal zur Grenzfläche $\mu_{\perp}^{}$ in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Zusammensetzungen als Funktion der Verspannung $e_\Vert$
• 6.21 Vergleich von MC Daten mit dem analytischen Modell der Elektronenbeweglichkeiten $\mobpar{}$ und $\mu_{\perp}^{}$ in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Zusammensetzungen als Funktion der Verspannung $e_\Vert$
• 6.22 Beweglichkeiten $\mobpar{}$ und $\mu_{\perp}^{}$ in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf GaAs als Funktion der Legierungszusammensetzung und der Verspannung $e_\Vert$ im Vergleich zum unverspannten Wert
• 6.23 Beweglichkeiten $\mobpar{}$ und $\mu_{\perp}^{}$ in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf InP als Funktion der Legierungszusammensetzung und der Verspannung $e_\Vert$ im Vergleich zum unverspannten Wert
• 6.24 Driftgeschwindigkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Legierungszusammensetzungen als Funktion des elektrischen Feldes (ohne Stoßionisation)
• 6.25 Driftgeschwindigkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Legierungszusammensetzungen als Funktion des elektrischen Feldes (mit Stoßionisation)
• 6.26 Einfluß der Stoßionisation auf die Driftgeschwindigkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für verschiedene Legierungszusammensetzungen als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.27 Beiträge zur mittleren Elektronenenergie in Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.28 Energierelaxationszeit in GaAs als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.29 Elektronenbeweglichkeit in Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As als Funktion der mittleren Elektronenenergie für die Einzelminima und gesamt. Die Symbole sind MC Daten, die durchgezogenen Linien Ergebnisse des analytischen Modells (6.78)-(6.80).
• 6.30 Elektronenbeweglichkeit in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As als Funktion der mittleren Elektronenenergie für verschiedene Legierungskonzentrationen. Die Symbole sind MC Daten, die durchgezogenen Linien Ergebnisse des analytischen Modells (6.78)-(6.80).
• 6.31 Driftgeschwindigkeit in Ga<sub>0.75</sub>In<sub>0.25</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf GaAs als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.32 Driftgeschwindigkeit in Ga<sub>0.75</sub>In<sub>0.25</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf InP als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.33 Relative Population der Minima in unverspanntem Ga<sub>0.75</sub>In<sub>0.25</sub>As (Mitte) und für pseudomorphe Verspannung auf GaAs (oben) und InP (unten) als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.34 Driftgeschwindigkeit parallel zur Grenzfläche in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf GaAs als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.35 Driftgeschwindigkeit normal zur Grenzfläche in Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>As für pseudomorphe Verspannung auf GaAs als Funktion des elektrischen Feldes
• 6.36 Typen von Banddiskontinuitäten an HL Grenzflächen
• 6.37 Anderson-Modell
• 6.38 Relative Banddiskontinuität im LB für Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/GaAs Grenzflächen: Vergleich der ``model-solid'' Theorie (MS) mit experimentellen Daten
• 6.39 Relative Banddiskontinuität im LB für Ga_xIn_1-xAs/GaAs Grenzflächen: Vergleich der ``model-solid'' Theorie (MS) mit experimentellen Daten.
• 6.40 Anordnung der Atome für pseudomorphe InAs/GaAs Grenzfläche