Tabellenverzeichnis

• 1.1 Hochfrequenzeigenschaften von ``state-of-the-art'' HFET
• 1.2 Hochfrequenzeigenschaften von ``state-of-the-art'' HBT
• 4.1 Aufgliederung der fundamentalen Größen
• 4.2 Modellparameter für das empirische Modell der kritischen Schichtdicke und Spannnungsrelaxation für GaInAs/GaAs
• 5.1 Parameter für die Temperaturabhängigkeit der Bandkantenenergien
• 5.2 Koeffizienten der Verschiebung der Bandkanten aufgrund von Hochdotierung nach (5.8)
• 5.3 Experimentell bestimmte Werte der Deformationspotentiale (in eV)
• 5.4 Theoretisch bestimmte Werte der Deformationspotentiale (in eV) nach [205]
• 5.5 Koeffizienten zur Interpolation der Verschiebung der Bandkanten von Ga_xIn_1-xAs unter (001) Spannung
• 5.6 Koeffizienten der Änderung von ${m_{}^{\varGamma}}$ aufgrund von Hochdotierung (5.49)
• 5.7 Koeffizienten zur Interpolation der Änderung der effektiven Masse von Ga_xIn_1-xAs unter (001) Spannung
• 6.1 Charakteristische Parameter flacher Dopanden in GaAs nach dem Thomas-Fermi Atommodell
• 6.2 Parameter des HD Beweglichkeitsmodells für Ga_xIn_1-xAs
• 6.3 Absolute Lage des mittleren Valenzbands und dessen Deformationspotential nach dem ``model-solid'' Ansatz [205]
• 6.4 Banddiskontinuitäten von Grenzflächen zwischen InAs und GaAs für den unverspannten Fall, InAs pseudomorph auf GaAs und GaAs pseudomorph auf InAs Substrat
• A.1 Fundamentale Materialparameter von GaAs
• A.2 Fundamentale Materialparameter von InAs
• A.3 Krümmungsparameter zur Interpolation der Materialparameter von GaInAs nach (4.1)