Philipp Lindorfer Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs
Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der Simulation von Galliumarsenid MESFETs im Rahmen des Drift-Diffusionsmodells. Die Wirkungsweise des MESFET und die Grundlagen der Galliumarsenid Technologie werden behandelt. Weiters werden die für die Simulation dieser Bauelemente benötigten physikalischen Modelle erarbeitet und erweitert. Dies umfaßt die Beschreibung des Ladungsträgertransports in Galliumarsenid, die Beschreibung des Schottkykontakts und die Modellierung tiefer Störstellen. Alle Modelle wurden im Simulationsprogramm MINIMOS, das für die Simulation von Silizium MOSFETs entwickelt wurde, implementiert. Anhand von Simulationen typischer, bei der Entwicklung von Galliumarsenid MESFETs auftretender Probleme und dem Vergleich mit Messungen wird die Funktion des Programms demonstriert.
Philipp Lindorfer Numerical Simulation of Gallium-Arsenide MESFETs
This work is concerned with the simulation of gallium-arsenide MESFETs within
the drift-diffusion approach. The basics of MESFET operation and gallium
arsenide technology are explained. The development and the extension of the
physical models required for the simulation of these devices are a major part of
this work. These models cover the carrier transport in gallium-arsenide,
the description of the Schottky contact and a model for deep traps.
All models have been implemented in the simulation program MINIMOS, which was
developed as a silicon MOSFET simulator. The functionality of the program is
demonstrated by the simulation of typical problems in the development of
gallium-arsenide MESFETs and by the comparison of simulated and measured data.