4.7 Ausgangskennlinienfeld



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4.7 Ausgangskennlinienfeld

 

Als letzten Schritt in der Entwicklungsabfolge wird man den Vergleich von gemessenem und simuliertem Ausgangskennlinienfeld mit Parameter für einen langen und weiten Transistor anstellen. Wenn zuvor Übereinstimmung bei Threshold-Spannung und Subthreshold-Steilheit erreicht wurde, sollte der Vergleich wie in Abb. 4.13 für einen komplexen -LDD-Prozeß ausfallen.

  
Abbildung: Ausgangskennlinienfeld mit Parameter : Vergleich von Messung und Simulation.

Wenn die Übereinstimmung nicht zufriedenstellend ist, wird man zuerst die Richtigkeit der Kanalweite überprüfen. Der Einfluß sehr geringer Kanalweiten (unter ca. , Wert abhängig vom Isolationsverfahren), der ,,Narrow-Channel-Effekt`` [Ake87], wird nur in der dreidimensionalen Simulation [Thu90a] [Thu90b] berücksichtigt. Eine andere Ursache kann in der Ladungsträgerbeweglichkeit liegen. Unstimmigkeiten in der Beweglichkeit sollten aber schon bei der Eingangskennlinie (Abschnitt 4.6) aufgefallen sein: Ein ungenaues Beweglichkeitsmodell auf der Simulatorseite oder die erhöhte Streuung an einer unsauberen Halbleiter-Oxid-Grenzfläche auf der Technologieseite können die Abweichung von Messung und Simulation begründen.

Es sollte einen Versuch wert sein, eine lineare Skalierung der simulierten Drainstromwerte mit dem Verhältnis des gemessenen zu simuliertem maximalen Drainstrom bei Versorgungsspannung durchzuführen. Eine derartige lineare Skalierung entspricht der Rechnung mit einer effektiven Kanalweite und kann innerhalb eng gesteckter Grenzen bei der Prädiktion für Technologie- und Prozeßvariationen sinnvoll sein. Diese Gültigkeitsgrenzen sind innerhalb der gleichen Technologiefamilie (etwa LDD versus DDD, - oder -Substrat, Doppel-, konventionelle oder Retrograde-Wanne usw.) für dieselbe Fabrikationslinie und für dieselben Simulationswerkzeuge zu finden.



Martin Stiftinger
Mon Oct 17 21:16:53 MET 1994