-Wanne
Die Wannen-Dotierungskonzentration für den 
-Kanal-Transistor
ist das Ergebnis eines vorsichtig abgewägten Kompromisses:
Für eine hohe Grunddotierung sprechen
Punchthrough-Festigkeit, Drain-Reststrom,
Kurzkanal- und DIBL-Effekt
sowie CMOS-Latchup-Festigkeit,
dagegen allerdings Substrateffekt, Beweglichkeitsabnahme in der
Inversionsschicht und damit der maximale Drainstrom.