4.2 Der sekundäre Bipolardurchbruch



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4.2 Der sekundäre Bipolardurchbruch

 

Abb. 4.3 zeigt einen typischen Strom-Spannungs-Zusammenhang, in dem sog. latchback oder snapback aufgrund eines sekundären Bipolardurchbruchs auftritt. Es kommt zu einer plötzlichen Verminderung der Drainspannung bei steigendem Drainstrom. Der Drainstrom kann explodieren und bis zur Zerstörung des Bauelements führen. Dieses Phänomen wird in [51] genau untersucht. Es steht im Gegensatz zum sekundären Durchbruch in Bipolartransistoren kaum mit thermischen Prozessen oder der Pulsweite im gepulsten Betrieb (zumindest bis zu Pulsweiten von ) in Zusammenhang.

  
Abbildung 4.3: Schematische Darstellung des Basiswiderstands und typische -Kurve eines DMOS-Transistors bei sekundärem Bipolardurchbruch.

Durch Messungen an einem DMOS-Transistor mit einer getrennten Kontaktierung von Source und -body wurde in [51] gezeigt, daß dieser Effekt vom nicht vernachlässigbaren -body-Widerstand herrührt. Zuerst wurde durch Messung von Strom und Spannung des -body-Kontakts bei verschiedenen externen Widerständen an diesem Kontakt der interne -body-Widerstand bestimmt und danach gezeigt, daß für verschiedene Drainströme dieser Durchbruchsmechanismus immer bei einer Spannung von ca. in der Nähe des Kanals einsetzt. Dies ist ein deutliches Indiz dafür, daß es sich um einen Bipolareffekt handelt.

Anschaulich kann dies leicht aus dem linken Bild von Abb. 4.3 erklärt werden. Im Fall von Trägergeneration aufgrund eines hohen Felds im Kanal des Transistors kommt es zu einem ,,Bulkstrom`` [93][116]. Dieser Löcherstrom fließt vom Kanalbereich lateral zur Kontaktierung des -bodies. Durch den nicht vernachlässigbaren Widerstand des -bodies kommt es zu einer Erhöhung des Potentials des -bodies in der Nähe des Kanals. Erreicht dieses Potential etwa - , dann werden vom Sourcegebiet (dem Emitter des aus Driftzone, Kanal und Sourcegebiet gebildeten parasitären Bipolartransistors) Elektronen in den -body injiziert, der parasitäre Bipolartransistor wird eingeschaltet, und die Drain-Source-Spannung des DMOS-Transistors springt auf einen Wert, der der Durchbruchspannung des Bipolartransistors bei offener Basis entspricht. Diese ist i.a. geringer als die Drainspannung , bei der der parasitäre Bipolartransistor eingeschaltet wird (siehe Abb. 4.3). Ohne diesen sekundären Bipolardurchbruch könnte der Übergang -body-Driftgebiet eine Spannung von aufnehmen, die etwa der Durchbruchspannung eines Bipolartransistors bei offenem Emitter entspricht. wird durch das Einsetzen von Lawinengeneration im gesperrten -Übergang zwischen Kollektor und Basis bestimmt. Der Zusammenhang zwischen und kann folgendermaßen bestimmt werden [116]:

Den Ladungsträgergenerationsfaktor des Basis-Kollektor-Übergangs eines Bipolartransistors kann man durch

 

abschätzen, wobei die Konstante für Elektronen ist. ist die über den -Übergang abfallende Spannung. Im Fall der offenen Basis ist der Emitterstrom gleich dem Kollektorstrom. Unter Zuhilfenahme der Faktors , der sog. common-base-Stromverstärkung kann man den Emitterstrom anschreiben als:

 

ist der sehr kleine Kollektorsättigungsstrom, wird mit dem Faktor am Basis-Kollektor-Übergang verstärkt und ergibt den Kollektorstrom:

 

Für kommt es zum Durchbruch:

 

Setzt man die Bedingung in Gleichung 4.1 ein, so erhält man mit :

 

Ist nun (dies ist i.a. der Fall), dann ist wesentlich geringer als .

Zur Abschätzung von berücksichtigt man die Ladungsträgermultiplikation in der Basis-Kollektor-Sperrschicht in der Formel für den Basisstrom, zur Vereinfachung werden aber und vernachlässigt:

 

Der Emitterstrom wird durch die Basis-Emitter-Spannung gesteuert. Dies ist die am Basiswiderstand abfallende Spannung :

 

Aus Gleichung 4.6 und Gleichung 4.7 folgt mit :

 

Diese transzendente Gleichung für wird durch eine Reihenentwicklung erster Ordnung des Exponentialausdrucks nach angenähert und kann dann aufgelöst werden:

 

Die snapback-Spannung ist erreicht, wenn (mit Gleichung 4.1 für eingesetzt)

 

gilt. Damit kann errechnet werden zu:

 

Damit zeigt sich, daß die snapback-Spannung bei steigendem Basiswiderstand kleiner wird. Deshalb ist der Basiswiderstand möglichst klein zu machen.



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Martin Stiftinger
Wed Oct 5 11:53:06 MET 1994