In dieser Region weitet sich das Stromflußgebiet auf, aufgrund des niedrigeren elektrischen Felds ist annähernd die Niederfeldbeweglichkeit relevant. Eine exakte Beschreibung wäre gleich wie im JFET-Bereich sehr aufwendig (oder mit analytischen Mitteln gar unmöglich), da sich auch hier je nach den angelegten Drain- und Gatespannungen unterschiedliche Stromflußgebiete ausbilden (vgl. Abschnitt 5.3). Es ist besonders der Winkel der Stromaufweitung stark spannungsabhängig. Die Abhängigkeiten sind im Bereich der Sättigung verschieden von denen in der Quasisättigung.
Da im Bereich hoher Drainspannungen der JFET-Bereich aufgrund der dort
vorherrschenden Driftgeschwindigkeitssättigung dominiert, orientiert sich
das entwickelte Modell für den Widerstandsbereich an niedrigen
Drainspannungen. Für diese ergibt sich ein
Winkel der Stromaufweitung von ca. 
(vgl. Abb. 5.6,
Abb. 5.7 und Abb. 5.10). Dieser Winkel wird oft auch in der
Literatur angegeben [52] [63]. Im getroffenen
Ansatz wird versucht, mit einem Modell auszukommen, das die wichtigsten
Effekte (hier vor allem die Stromaufweitung) berücksichtigt. Die
Stromaufweitung wird als rein geometrischer Effekt ohne
Spannungsabhängigkeit angenähert [52].
Abbildung 6.13: Die Stromaufweitung im Driftgebiet.
Abb. 6.13 zeigt nun schematisch die Abmessungen im Widerstandsgebiet.
Diese sind konsistent mit der Stromeinschnürung im JFET-Gebiet zu
bestimmen (das betrifft insbesondere die Größen 
und 
). Die
Gesamttiefe 
in diesem Gebiet wird durch die Tiefe des
Übergangs zwischen JFET- und Widerstandsgebiet, die als Modellparameter
implementiert ist, bestimmt. Die Stromeinschnürung im JFET-Gebiet legt
zusammen mit der Geometrie der DMOS-Zelle und dem ebenfalls als Parameter
ausgeführten Stromflußwinkel 
die Tiefe des nicht
stromdurchflossenen Gebiets 
fest: 
.
Es sind zwei Fälle zu unterscheiden:
:
Es ergibt sich der Epi-Widerstand aus dem Integral des spezifischen
Widerstands 
über das stromdurchflossene Volumen (man beachte, daß
das nicht vom Strom durchflossene Volumen eine auf der Spitze stehende
quadratische Pyramide bildet, deren Spitze in diesem Fall jedoch
abgeschnitten ist):
Diese Integration ist unter der Annahme eines konstanten spezifischen Widerstands leicht auszuführen und ergibt:
:
In diesem Fall ist die Spitze der nichtstromdurchflossenen Pyramide nicht
abgeschnitten, es ergibt sich darunter ein völlig von Strom durchflossenes
Gebiet:
Das Ergebnis des Integrals ist aus Gleichung 6.123 zu gewinnen, indem
gesetzt wird:
Auch hier rechtfertigen die Vergleiche mit Messungen dieses relativ einfache Modell (vgl. Kapitel 7.1).
