Die Kapazitäten des Kanalgebiets werden durch das dynamische Modell des Kanal-MOSFETs beschrieben (vgl. Abschnitt 6.3.3). Allerdings ergibt sich aufgrund des über die Driftzone zwischen zwei Zellen fortgeführten Gatekontakts eine zusätzliche Eingangskapazität. Die Dicke des Oxids entspricht im untersuchten Fall jener über dem Kanal. Wegen des bedeutenden flächenmäßigen Anteils dieses Gebiets ist eine gute Modellierung dieser sehr großen Kapazität wichtig.
In der Literatur sind nur wenige Ansätze zur dynamischen Beschreibung von
DMOS-Transistoren in Kompaktmodellen zu finden. In [104] wird
versucht, diese Kapazität durch einen 
-MOSFET zu beschreiben. Dies
führt allerdings zu einem beträchtlichen überflüssigen Aufwand, da nur
ein kleiner Teilaspekt eines MOSFET-Modells, nämlich die
Gate-Drain-Kapazität, verwendet wird. Außerdem wird in
Standard-MOSFET-Modellen diese Kapazität nicht genau genug bzw. nicht
knickfrei beschrieben. Diodenschaltnetze haben sich bei Versuchen ebenfalls
als zu ungenau erwiesen und haben das Konvergenzverhalten durch ihre nicht
knickfreie Beschreibung negativ beeinflußt.
Es wurde daher ein aus zwei Hierarchieebenen bestehendes Kapazitätsmodell entwickelt. Da für die Schaltungssimulation oft die Kapazitäten lediglich im Bereich positiver Gatespannungen wirklich interessant sind, wird im ersten Modell lediglich auf eine gute Beschreibung in diesem Bereich Wert gelegt.