Abbildung 3.6: Beispiel: Idealer Trench (Bor mit 100 keV unter 
).
Abbildung: Beispiel: Ergebnis der
Implantation von Bor mit 100 keV in die Geometrie nach
Abb. 3.6 mittels Monte-Carlo Methode. Im
Gegensatz zu Abb. 3.8 gibt es in den
Seitenwänden des Trenches sehr wohl eine Konzentration.
Abbildung: Beispiel: Ergebnis der
Implantation von Bor mit 100 keV in die Geometrie nach
Abb. 3.6 mittels analytischer Methode. Im
Gegensatz zu Abb. 3.7 ist in den Seitenwänden
des Trenches keine Konzentration zu sehen.
In diesem Abschnitt wird die Implantation in einen Trench simuliert.
Es wird wieder Bor unter einem Neigungswinkel von mit 100
keV implantiert. Die Targetstruktur (siehe
Abb. 3.6) ist in diesem Beispiel ein einfacher,
idealisierter Trench.
Deutlich kann man hier die Grenzen der Anwendbarkeit der analytischen
Methode sehen: In den Seitenwänden gibt es praktisch keine
Konzentration nach der analytischen Methode
(Abb. 3.8), weil ab einer gewissen Tiefe die
Verteilungsfunktion praktisch verschwindet. Aus dem angrenzenden
Vakuumgebiet gibt es aber auch keinen Beitrag, weil die Ionen unter
Neigungswinkel zur vertikalen Achse implantiert werden.
In den Ergebnissen aus der Monte-Carlo Simulation (Abb. 3.7) exisitiert aber sehr wohl eine Konzentration, die von Ionen stammt, die an den Seitenflächen reflektiert werden und dann in die gegenüberliegende Seitenwand wieder eintreten.
In diesem Beispiel ist natürlich die notwendige Annahme, daß die Punktantworten einfach überlagert werden können, verletzt. Diese Voraussetzung ist eigentlich nur im Falle von nicht zu steilen Geometriekanten erfüllt.