Aufdampf-Verfahren



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Aufdampf-Verfahren

Beim Aufdampf-Verfahren wird ein Verdampfergut im Vakuum so hoch erhitzt, bis der Dampfdruck für ein nennenswertes Aufdampfen ausreicht. Die verdampfenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfläche des Verdampfergutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und umgebenden Wänden nieder. Der Prozeß findet üblicherweise bei statt, sodaß die abgedampften Teilchen praktisch ohne Kollisionen, also geradlinig von der Quelle zum Substrat fliegen. Der Aufdampfprozeß erlaubt wegen der gerichtet auftreffenden Atome keine konforme Bedeckung von stufenbehafteten Oberflächen. Selbst wenn man zum Beispiel durch planetenartige Bewegung der Halbleiterscheiben während des Aufdampfens für eine ständige Änderung des Aufdampfwinkels sorgt, kommt es an Stufen und in Vertiefungen infolge von Abschattungen zu einer reduzierten Schichtabscheidung. Mit Hilfe einer erhöhten Substrattemperatur (bis ) während des Aufdampfens erreicht man eine erhöhte Beweglichkeit der Atome auf der Substratoberfläche, sodaß zumindest Spaltbildungen an steilen Stufen vermieden werden kann. Eine zusätzliche Schwierigkeit beim Aufdampf-Verfahren besteht darin, reproduzierbar eine bestimmte gewünschte Schichtzusammensetzung (z.B. 99% und 1% ) beim Verdampfen mit einer oder mehreren Quellen einzuhalten. Wegen dieser Nachteile ist das Aufdampf-Verfahren heute weitgehend durch das vorher beschriebene Sputter-Verfahren verdrängt worden.



Martin Stiftinger
Thu Nov 24 17:41:25 MET 1994