Der folgende qualitative Vergleich der Leiterbahntechniken zwischen der Hochfrequenztechnik und der Verbindungstechnik digitaler integrierter Schaltungen soll darüber Aufschluß geben, daß Methoden, die zur Berechnung von Microstrip-Lines Verwendung finden, nur stark eingeschränkt auf Leitungen integrierter Schaltung übertragbar sind.
Folgende Überlegungen führen zu diesem Schluß:

[Gra91]), die in keiner Relation zu den Verhältnissen bei
Microstrip-Lines stehen, da dort die ohmschen Widerstände vernachlässigbar sind.
ausgelegt. Für
CMOS-Siliziumtechnologie kann man heute eine Grenzfrequenz von etwa
ansetzen.
Die Analyse von Verdrahtungsstrukturen integrierter Schaltungen ist im Frequenzbereich kaum sinnvoll, da die Rücktransformation mit Fast-Fourier-Transformationen durch die große Bandbreite numerisch sehr aufwendig ist. Ein weiteres Hindernis zur Anwendung von harmonischen Analyseverfahren im großen Bereich der Digitalschaltungen stellt die ausgeprägte Nichtlinearität der aktiven Bauteile dar.
Eine Erweiterung, um auch Kopplungeffekte mehrerer paralleler Leitungen zu berücksichtigen,
wird in [Pan89][Orh93][Gra91] ausgeführt. Dazu wird die
Ausbreitungskonstante
der homogenen Wellengleichung auf
Matrizen
erweitert. Diese Matrizen beschreiben die kapazitiven
und induktiven Kopplungen in der Ebene quer zur Ausbreitungsrichtung. Man löst nun nicht das
verkoppelte Gleichungssystem, sondern diagonalisiert das System mit Pre- und Postmultiplikation durch
.
Die diagonalisierte Matrix besteht aus den Eigenwerten von
.