- ...(,,Target``
- In der Halbleiterindustrie
verwendet man monokristalline Siliziumscheiben, sogenannte ,,Wafer``.
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- ...Temperaturprofil
- Darunter
versteht man den Temperaturverlauf in Abhängigkeit von der Zeit. Der
Erwärmungsvorgang wird als ,,Ramp up`` und die Abkühlung als ,,Ramp
down`` bezeichnet.
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- ...Dosis
- Darunter versteht man die Anzahl der
Ionen je Einheitsquerschnitt.
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- ...,,Trenches``
- Darunter
versteht man Gräben, die durch anisotrope Ätzprozesse hergestellt
werden. Sie dienen der lateralen Isolation von Bauelementen und als
Kapazitäten in der Speichertechnik.
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- ...Histogramm
- Darunter versteht man ein n-dimensionales Feld,
welches die ebenfalls n-dimensionale Geometrie in 'ausreichend' kleine
Bereiche zerlegt, sodaß das Dotierstoffprofil räumlich vernünftig
aufgelöst wird [Sti93a]. Im dreidimensionalen Fall
repräsentiert also ein Index in diesem Feld einen Quader.
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- ...sind
- Normalerweise findet man
mit einer relativen Fehlerschranke von fünf bis zehn Prozent das
Auslangen.
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- ...Bauelementes
- Vor allem die
Kanallänge, die Abmessungen des ,,Gates``, die Dicke des
,,Gate``-Oxides und die Tiefe der ,,Source/Drain junctions`` spielen
dabei eine entscheidende Rolle.
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- ...vergeben
- Ohl (1956, US Patent
#2750,541), Shockley (1957, US Patent #2787,564) und Moyer (1958, US
Patent #2842,466).
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- ...Stromstärke
- Darunter versteht
man die Anzahl der Ladungen pro Zeiteinheit; wird angenommen, daß nur
einfach geladene Ionen im Strom enthalten sind, so erhält man auch direkt
die Anzahl der Ionen pro Zeiteinheit.
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- ...,,Scanning``-Systemen
- Darunter versteht man die
Ionenstrahlführung über die ,,Target``-Oberfläche.
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- ...werden
- Man stelle
sich ein zweidimensionales quadratisches Gitter aus Atomen vor, in dem unter
verschiedenen Winkeln Netzebenen im Gitter definiert werden können.
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- ...HREF=#figwafer#1141>)
- Die Dotierungsart und die
kristallographische Orientierung des ,,Wafers`` wird mit ,,Flats``
(SEMI Standard 1993) gekennzeichnet.
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- ...-strahlung
- Im Wesentlichen unterliegt die
Wärmestrahlung dem Stefan Boltzmann Gesetz und ist als Kühlungsmechanismus
bei moderaten Temperaturen zu vernachlässigen.
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- ...Streuwinkel
- Darunter versteht man jenen Winkel, den der
Richtungsvektor der Ionenbahn vor der Kollision mit dem Richtungsvektor nach
dem Zusammenstoß einschließt.
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- ...Weglänge
- Darunter versteht man den Abstand
zwischen zwei aufeinanderfolgenden Stößen.
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- ...Teilchen
- Die thermische
Energie der Gitterschwingungen des Atoms ist um Größenordnungen kleiner
als die Ionenenergie und kann in diesem Zusammenhang vernachlässigt
werden.
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- ...Materialien
- Dabei spielt es natürlich keine Rolle, ob das
Zielgebiet tatsächlich amorph ist (.B. Siliziumdioxid), oder aus
anderen Gründen die Kristallstruktur vernachlässigt werden kann.
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- ...Frenkel-Paare
- Darunter versteht man ein ,,Interstitial``-Vakanz-Paar.
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- ...Punktdefekte
- Für
Frenkel-Paare kann man mit guter Näherung annehmen, daß die Konzentration
der Vakanzen 219#219 gleich der Konzentration der Interstitials 220#220 ist
[Hob88b].
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- ...Präzipitate
- Darunter versteht man eine Ansammlung von einigen
tausend Dotierstoffatomen, die im Kristallgitter ein eigene Phase bilden.
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- ...Implantationsfenster
- Darunter versteht man ein ebenes Gebiet,
in welchem die Startpunkte der Teilchen liegen. Entweder wird es automatisch
so gewählt, daß die gesamte Target-Oberfläche mit Ionen bestrahlt
wird, oder der Programmbenutzer definiert selbst ein meist rechteckförmiges
Gebiet, um z.B. die Dotierstoffverteilung nur in einer Ecke der Struktur zu
simulieren.
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- ...können
- Bei jeder ,,Point
location`` wird der minimale Abstand des Ions zu den Materialgrenzen
festgestellt. Dieser Abstand wird mit der aktuellen freien Weglänge 128#128 in Verhältnis gesetzt, damit erhält man eine minimale Anzahl von
Stößen 244#244, bei denen das Ion auf keinen Fall das momentane
Material verlassen kann. Während dieser 244#244 Stöße ist es nicht
notwendig, den Aufenthaltsort des Ions zu bestimmen, was sich natürlich
sehr günstig auf die Rechenzeit auswirkt.
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- ...Laufzeitanalyse
- Diese
Tools ermitteln die für jede Programmzeile benötigte CPU Zeit und
erstellen Statistiken zur Analyse des Laufzeitverhaltens. Dadurch kann man
exakt feststellen, wieviel Prozent der Gesamtzeit für bestimmte
Unterroutinen benötigt werden.
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- ...Parallelisierung
- Da bei der Monte Carlo Methode keine
Vektoroperationen vorkommen (z.B. das Lösen von linearen
Gleichungssytemen), ist eine Datenparallelisierung nicht möglich.
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- ...Teilchen
- Darunter versteht man hier ein Teilchen
im Sinn der der Monte Carlo Methode. So ein Teilchen kann geteilt und gewichtet
werden.
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- ...gehen
- Wenn man davon ausgeht,
daß die Physik ideal in den implementierten Modellen abgebildet ist.
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- ...hoch.
- Bei
der logarithmischen Darstellung der Dotierstoffkonzentration macht sich
dieser Fall durch einzelne, voneinander getrennte Channeling-Peaks
bemerkbar.
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- ...selektiert
- Jedes
Ion unterschreitet auf seinem Weg durch das Material relative
Energieschwellen zwischen 278#278.
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- ...steigen
- Immerhin muß bei jedem Check-Point
290#290 bzw. 296#296 aus dem Histogramm ermittelt werden.
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- ...hält
- Diese Maßnahme ist physikalisch motiviert, da
einerseits Ionen, die mit den selben Initialdaten starten, eine
Mindestenergie benötigen, um unterschiedliche Trajektorien bilden zu
können, andererseits konnte in Kapitel 2.7.3 eine untere
Energieschwelle 176#176 für ,,Channeling`` abgeleitet werden.
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- ...Materialzusammensetzung
- Voraussetzung
ist natürlich, daß zumindest ein Teil des Gebietes aus c-Si besteht.
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- ...Fall
- Diese Vorgehensweise läßt sich
prinzipiell auch auf drei Dimensionen erweitern.
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- ...werden
- Die hier angegebenen Wafer-Temperaturen sind etwas
höher als die entsprechenden Kühlmitteltemperaturen, da natürlich das
Material der Probenhalterung einen endlichen Wärmeleitwert aufweist. Da
aber die Temperatur des Wafer überwacht wurde, ist dieser Effekt
vernachlässigbar.
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- ...Raumgebiet
- Dabei bietet
es sich an, ebenfalls ein n-dimensionales Histogramm zu verwenden.
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- ...
- Der Index 0 deutet an, daß dieser Wert die
Minimalenergiedichte für die Amorphisierung von Silizium darstellt.
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- ...abhängt
- Natürlich ändern sich die Schwingungsamplituden der
Siliziumatome und damit auch die Channeling-Verhältnisse, aber
dieser Effekt ist hier vernachlässigbar.
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- ...Implantation
- Die Trajektorien sind im letzteren Fall länger.
Somit verteilt sich die nukleare Energie auf ein größeres
Volumen. Außerdem spielt bei höheren Energien die elektronische Abbremsung
eine immer wichtigere Rolle.
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- ...starten
- Ein quadratisches
Implantationsfenster von 10nm Kantenlänge hat sich in der Praxis als
günstig erwiesen.
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- ...
- ,,Process Optimization in Multiple
Dimensions for Semiconductor Technology`` - JESSI Projekt BT8B,
finanziert durch die EU als ESPRIT Projekt 8150.
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- ...aufweist
- Auf Grund der Größe des
Implantationsfensters müssen für die Simulationen 1.000.000
Initialtrajektorien gestartet werden.
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