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Bor-Implantation mit 40keV

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Abbildung 6.2: Vergleich des Simulationsergebnisses mit der SIMS\ Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das Histogramm der Monte Carlo Simulation, die punktierte Linie und die Symbole kennzeichnen die experimentellen Daten.

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Abbildung 6.3: Simulation einer Punktantwort mit 40keV-Bor-Ionen und die daraus resultierende Bor-Konzentration in [cm-3].

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Abbildung 6.4: Simulation einer Punktantwort mit 40keV-Bor-Ionen und die daraus resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration in cm[-3].



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