Das eindimensionale Programm SPS (SCHRÖDINGER-POISSON-Solver) wurde am Institut für Mikroelektronik der TU Wien entwickelt und im Rahmen dieser Arbeit auf die Berücksichtigung von tiefen Störstellen erweitert [48]. SPS löst die SCHRÖDINGER- und die POISSON-Gleichung selbstkonsistent nach einem Algorithmus von P.C. Chow [34]. Die selbstkonsistente Lösung von SCHRÖDINGER- und POISSON-Gleichung liefert bei Vorgabe der Schichtdicken und der physikalischen Materialparameter für eine definierte Gatespannung den Verlauf der Leitungsbandkante, die Energieniveaus im Quantentopf des Q2DEG und die zugehörigen Wellenfunktionen, die Ladungsträgerkonzentration, sowie die Verteilung der ionisierten Donatoren als Funktion des Abstands von der Oberfläche (Gatekontakt).
Abbildung 5.2: Verlauf von Leitungsbandkante und Ladungsträgerkonzentration in einem DH-HFET, berechnet mit SPS (VG = 0 V).
Abbildung 5.2 zeigt den berechneten Verlauf der Leitungsbandkante und die Ladungsträgerkonzentration bei VG = 0 V für einen DH-HFET. Die Struktur entspricht der Abbildung 2.4. Aber SPS leistet noch mehr. In einem Iterationszyklus kann SPS auch das sogenannte Ladungskontrollverhalten (charge-control) ermitteln, d.h. die Änderung der Ladungsträgerkonzentration unter dem Gate bei Variation der Gatespannung. Auch die Ableitung dieses Verlaufs, also die Charakteristik der Gatekapazität wird berechnet.