4.1.4 Problemstellungen
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,,Une modélisation quantitative et précise de ces effets reste
malaisée, car elle devrait inclure 
la fois le temps
(en s'inspirant par exemple des travaux exposés
par [47]), le couplage des interfaces,
des mod
les exacts de recombinaison et une aproche réaliste
du temps de formation du canal``.
Thierry Ouisse et al. [77]
CP-Experimente auf Dünnfilm SOI 
-Dioden wurden erstmals
in [22] vorgestellt und in [76]
bzw. in [77] diskutiert. In diesen Publikationen
wird auf die komplexen zweidimensionalen transienten
Vorgänge während des CP-Experimentes
hingewiesen und die Notwendigkeit entsprechender
numerischer Simulation betont. Es sollen nun kurz
die Problemfelder abgesteckt und der notwendige
Rahmen für numerische Simulationen definiert
und begrenzt werden.
Bei der Durchführung des CP-Experimentes
(Pulsung der Frontgate-Spannung)
in Dünnfilm SOI -Dioden kommt es
zu einer Überlagerung mehrerer Beiträge zum CP-Signal:
- CP-Signal der Grenzflächen-Störstellen
am Frontinterface,
-
- CP-Signal der Grenzflächen-Störstellen
am Backinterface infolge der Potentialkopplung
beider Grenzflächen,
-
- parasitäre CP-Signalanteile
durch die dimensionale Komponente bei kurzen Pulsflanken.
Die Hauptaufgabe der numerischen Simulation
ist die saubere Trennung dieser Komponenten und die
geeignete Identifikation von Parametern, die
sich auf die einzelnen Komponenten auswirken.
Eine solche Identifikation gelingt durch
Anpassung zahlreicher Eingabedaten der Simulation
an die experimentellen Daten.
Ein ernstes Problem in dieser Arbeit liegt in
der Unvollständigkeit der zur Verfügung
stehenden experimentellen Daten, die eine Extraktion
gewisser Parameter sehr erschweren. So ist z.B. die
exakte Substratdotierung des Siliziumfilmes
der verwendeten Gate-Dioden selbst den
Autoren von [76] nicht bekannt. Ähnlich verhält
es sich mit den Source/Drain-Profilen und den Oxiddicken
des Frontgate-Oxids.
Ein rigoroses Verständnis
der physikalischen Vorgänge beim CP-Experiment
in Dünnfilm SOI -Dioden erfordert deshalb eine Fortführung
der experimentellen Arbeiten von [76],
nämlich eine genaue Analyse der räumlichen und
insbesondere der energetischen
Verteilung der Grenzflächen-Störstellen
am Backinterface. Die Methode von Groeseneken
([34] und [86]) ist dafür zweifellos geeignet.
Martin Stiftinger
Fri Oct 14 21:33:54 MET 1994