3.3 Das Heterogrenzschichtmodell  

Das Heterogrenzschichtmodell verhält sich ähnlich dem Randbedingungsmodell des thermischen Widerstandes. Das Modell ist jedoch symmetrisch bezüglich der Segmentanordnung implementiert. Die Bandkantendifferenzen bewirken eine Flächendivergenz in der Energieflußgleichung des Halbleitergitters. Die dem Gitter zugeführte Leistung ist proportional den Bandkantendifferenzen und den Trägerstromdichten. Der Flächenenergieübertrag $H\mathrm{A}$ berechnet sich zu

$$\begin{eqnarray} H_\mathrm{A}(\vec{r},t)=\frac{J_{n}}{q}\cdot (E_{c1}-E_{c2})+\frac{J_{p}}{q}\cdot (E_{v1}-E_{v2})\; . \end{eqnarray}$$ (3.20)

Zusammen mit den beschriebenen Randmodellen ist somit auch Energieerhaltung im Fall von Heterostrukturen gewährleistet.