4.1.2 Oxiddicke



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4.1.2 Oxiddicke

Die Oxiddicke wird heute in den meisten Fabrikationslinien für fast alle Wafer während der Produktion selbst gemessen (sog. ,,Inline Measurement``). Problematisch ist dabei der systematische Unterschied (aufgrund einer sehr dünnen Übergangsschicht von Halbleiter zu Oxid) von optischen gegenüber elektrischen, auf der Kapazitätsmessung eines Plattenkondensators basierenden Meßmethoden. Diese wenigen Nanometer an systematischem Fehler sind aber bei Oxiddicken von bis (bei Linienbreiten zwischen und ) signifikant. Dem überlagert sich die Toleranzvorgabe an die Fertigung von üblicherweise . Da die Oxiddicke über linear in die Threshold-Spannung eingeht, ist bei einem beabsichtigten Vergleich von Bauelementkennlinien aus Messung mit Simulation hier besondere Sorgfalt angeraten.



Martin Stiftinger
Mon Oct 17 21:16:53 MET 1994