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Kurzfassung

Die Entwicklung von modernen Halbleiterbauelementen wird wesentlich durch Computersimulationen beeinflußt. Sowohl in der Entwurfsphase als auch in der Optimierungsphase werden Simulationen zur Nachbildung des Herstellungsprozesses und zur Beschreibung des elektrischen Verhaltens verwendet. Die fortschreitende Miniaturisierung höchstintegrierter Bauteile bedingt aber eine immer genauere Simulation der Dotierungsprofile und damit auch die Modellierung von speziell bei Kurzkanalstrukturen auftretenden physikalischen Phänomenen. Im Rahmen dieser Arbeit präsentieren wir verschiedene Simulationsmodelle für Ionenimplantation und Diffusion. Diese Prozeßmodelle sind als Module in das Software Projekt VISTA (Viennese Integrated System of TCAD Applications) eingebunden.

Der Modul zur analytischen Simulation der Ionenimplantation, welches auf
einem numerical range scaling algorithmus und einer Faltungsoperation basiert, wurde auf allgemeine nichtplanare zwei-dimensionale Strukturen erweitert.
Weiters wurde eine modifizierte Kappa-Funktion zur Nachbildung von Implantationsprofilen implementiert. Mit Monte-Carlo Referenzsimulationen wurden
Parametersätze für die meist gebräuchlichsten Ionen-Substrat Kombinationen ermittelt.

Diffusionsprozesse wurden mittels numerischen Methoden auf allgemeinen zwei-dimensionalen Gebieten gelöst. Das Diffusionsproblem stellt ein parabolisches System aus nichtlinearen, gekoppelten und zeitlich veränderbaren Differentialgleichungen dar. Zur numerischen Diskretisierung wurde die Box-Integrationsmethode verwendet, wobei unstrukturierte Gitter als räumliche Diskretisierungsmethode des Simulationsgebietes verwendet wurden. Die Verwendung von unstrukturierten Gittern gestattet die Simulation von Bauelementen der neuesten Technologien.

Der Hauptteil dieser Arbeit befaßt sich mit der Entwicklung neuer Diffusionsmodelle, welche die speziellen Anforderungen von modernen Fertigungstechniken berücksichtigen. Es wurde ein Diffusionsmodell für die Ausdiffusion von
Dotierstoffen aus polykristallinem Silizium entwickelt. Dabei gelingt es den Dotieratomen aufgrund der außordentlich hohen Mobilität im polykristallinen Silizium in benachbarte Schichten zu wechseln. Dieser Effekt wird bewußt zur Erzeugung von hochdotierten Emitterzonen in der Bipolar-Technologie ausgenützt. Auch der vielfältige Einfluß der Materialgrenze zwischen dem Polysilizium und dem angrenzenden Material wird untersucht und modelliert.

Durch die stetige Miniaturisierung wurde der Einfluß von Gitterdefekten auf die Dotierstoffdiffusion wesentlich verstärkt. Diese Gitterdefekte bewirken schon bei relativ niedrigen Prozeßtemperaturen eine transient verstärkte Diffusion einiger bestimmter Dotierstoffe. Daher wurde ein Transient Enhanced Diffusion Modell entwickelt, welches den Einfluß der Gitterdefekte berücksichtigt. Technologisch ist dieses Phänomen für die Diffusion von Bor von Bedeutung, daher wurde das Modell für Bor-Diffusionsprofile im Temperaturbereich von tex2html_wrap_inline4785 bis tex2html_wrap_inline4789 optimiert.

Die Gitterdefekte beschleunigen nicht nur die Diffusion von Dotierstoffen, sie beeinflussen auch in signifikanter Weise die elektrische Aktivierung während des
Diffusionsvorganges. Normalerweise sind Dopanden, sofern sie mittels
Ionen Implantation eingebracht wurden, elektrisch inaktiv. Zur Aktivierung ist ein Diffusionsschritt nötig. Es wurde ein Modell zur Aktivierung von Phosphor entwickelt, wobei es zu einer Verarmung von Aktivierungspartnern kommt.
Dadurch werden relativ große Anteile von Dopanden nicht elektrisch aktiviert.


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