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Die Simulation der Ionenimplantation

 

Wie schon erwähnt, erfordert die Miniaturisierung mikroelektronischer Bauelemente eine immer genauere Einstellung der Dotierstoffprofile. Bei den bereits genannten Optimierungszyklen hat sich die Prozeßsimulation bewährt [Fie86, Pim91, De 93, Sti95]. Da die Verbreiterung der Profile durch Diffusion in vielen Fällen minimiert werden muß, spielt die Vorhersage der Implantationsprofile eine immer zentralere Rolle. In [Ant78, Tie80, Mur82, Ho83, Mal83, Pen83, Sal83, Jün85, Mac85, Pic85, Oda87, Ohg87, , Oda88, Hob90, Bac92, Col93, Lor93, Lor95, Sen96] sind einige Prozeßsimulatoren beschrieben. Darüber hinausgehend werden sogar prinzipielle Funktionsfehler in Halbleiterbauelementen durch Simulation detektiert und eventuell eliminiert [Sch93].





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Mon Dec 23 13:09:21 MET 1996