Ohne die exzellenten chemischen, mechanischen und thermischen Eigenschaften von Silizium [Sze81, Gha94, EK95] wäre der rasante Aufstieg der Mikroelektronik undenkbar gewesen. Die überwiegende Mehrheit aller Halbleiterbauelemente basiert auf monokristallinem Silizium (c-Si). Zu dessen industrieller Herstellung wird vor allem das Czochralski-Verfahren verwendet (siehe Abbildung 1.1).
Abbildung 1.1: Tiegelziehanlage mit Strombeheizung [vM93].
Einkristalle zeichnen sich durch eine regelmäßige Anordnung ihrer Atome bis an ihre räumlichen Grenzen aus (siehe Abbildung 1.2). Hingegen spricht man von amorpher Struktur (a-Si), wenn diese Fernordnung auch in kleineren Raumgebieten nicht zu finden ist.
Abbildung 1.2: Modell der Siliziumstruktur, gesehen entlang der
110-Richtung [EK95].