In dieser Arbeit wurde schon des öfteren erwähnt, daß eine genaue Beschreibung der Implantationsprofile nur dann möglich ist, wenn die kristalline Struktur des Siliziums berücksichtigt wird. Einerseits ändert sich z.B. das Auswahlverfahren für den aktuellen Stoßpartner (siehe Kapitel 2.5.2) und andererseits erfährt das Ion entlang seiner freien Weglänge eine völlig andere elektronische Abbremsung, deren Modellierung ungleich komplizierter ist, als eine in amorphen Strukturen. Um jedoch ein Verständnis für die physikalischen Vorgänge in anisotropen Siliziumstrukturen aufzubauen, soll zuerst das ,,Channeling``-Phänomen detailliert erläutert werden.