Die beiden Abbildungen 2.9
zeigen zwei Gewichtsfunktionen für
den Substratkontakt im logarithmischen Maßstab.
Die Gewichtsfunktionen für den Source- und Drain-Kontakt denke man sich
zu Eins entsprechend komplementär.
Die beiden Fälle beziehen sich auf eine invertierte
(
=
, oben) und eine akkumulierte, dem Gate-Kontakt
zugewandte Halbleitergrenzschicht (=
, unten).
Die Gradienten der Gewichtsfunktionen treten
unmittelbar anschließend an die hoch dotierten Source- und
Drain-Implantationsgebiete auf, die ohmschen Kontakte
schalenförmig umschließend. In Abhängigkeit
von der Oberflächenkonzentration
existieren auch Gradienten am MOS-Kanal.
Abbildung: Substrat-Gewichtsfunktionen eines MOSFETs für
= (oberes Bild) und = (unteres Bild) in
logarithmischer Darstellung.
Kanallänge sowie Kontakte und Zwischenräume
jeweils 
.