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5.1.2 Dotierungsabhängigkeit


 
Abbildung 5.5: Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) bei 77 K in P-, As- und Sb-dotiertem Si. Experimentelle Daten sind aus [OFM63,YMS67].
\begin{figure}
\psfrag{2e1}{\hspace{-0.4cm}$2\!\cdot\!10^1$}
\psfrag{e4}{\hspace...
 ...{maj77phd.eps}}\end{center}\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.6: Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) in P-, As- und Sb-Si bei 300 K. Experimentelle Daten sind [Wol60,Irv62,YMS67,MSS83] entnommen.
\begin{figure}
\psfrag{phyama}{\footnotesize\hspace{-0.37cm}P\cite{yama}}
\psfra...
 ...ajhighdop.eps}}\end{center}\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.7: Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) in P-dotiertem Si bei 300 K als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\mathrm{D}}$. Experimentelle Daten aus [Bac57,OFM63,YMS67,MOP74,MSS83].
\begin{figure}
\psfrag{back}{\footnotesize\hspace{-0.4cm}\cite{back}}
\psfrag{ma...
 ...s{p300phd.eps}}\end{center}\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.8: Die Beweglichkeit der Majoritätselektronen nach (5.2) in As-dotiertem Si bei 300 K als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\rm{D}}$. Experimentelle Daten aus [Bac57,Wol60,Irv62,OFM63,MSS83].
\begin{figure}
\psfrag{9e2}{\hspace{-0.35cm}\mbox{$9\!\cdot\!10^2$}}
\psfrag{e2}...
 ...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.9: Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\rm{D}}$ und der Temperatur T in P-dotiertem Si.
\begin{figure}
\psfrag{a16}{\raisebox{-1ex}{\hspace{-0.1cm}$10^{16}$}}
\psfrag{a...
 ...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.10: Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\rm{D}}$ und der Temperatur T in As-dotiertem Si.
\begin{figure}
\vspace{1cm}
\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}
\psfra...
 ...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.11: Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\rm{D}}$ und der Temperatur T in Sb-dotiertem Si.
\begin{figure}
\psfrag{a16}{\raisebox{-1ex}{\hspace{-0.1cm}$10^{16}$}}
\psfrag{a...
 ...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


 
Abbildung 5.12: Vergleich der Elektronenbeweglichkeiten nach (5.2) als Funktion der Donatorkonzentration $N_{\rm{D}}$ und der Temperatur T in P- und As-dotiertem Si.
\begin{figure}
\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}
\psfrag{x-tmp}{$T$\...
 ...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}


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Kaiblinger-Grujin Goran
1997-12-06