Abbildung 5.13: Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen nach
(5.4) als Funktion der Akzeptorkonzentration
für unterschiedliche Temperaturen in B-dotiertem Si.
Abbildung 5.14: Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen nach
(5.4) als Funktion der Temperatur T
bei unterschiedlichen Akzeptorkonzentrationen
für B-dotiertes Si.
Abbildung 5.15: Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen nach
(5.4) als Funktion der Akzeptorkonzentration
bei 77 und 100 K in B-dotiertem Si. Experimentelle Daten sind aus
[LN93] (77 K) und [SKS86]
(100 K).
Abbildung 5.16: Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen nach
(5.4) als Funktion der Akzeptorkonzentration
bei 300 K in B-dotiertem Si. Experimentelle Daten sind aus [SKS86]
(295 K), [LN93] (296 K) und [Dzi79]
(300 K).
Abbildung 5.17: Die Elektronenbeweglichkeit nach (5.4)
als Funktion der Akzeptorkonzentration
und der Temperatur T in B-dotiertem Si.
Abbildung 5.18: Vergleich der Elektronenbeweglichkeiten nach (5.2)
und (5.4) als Funktion der Störstellenkonzentration
Ni und Temperatur T in P- und B-dotiertem Si.