Schlußfolgerungen - Stand der Modellierung

 Der Stand der Modellierung der Banddiskontinuitäten stellt sich aus heutiger Sicht ungefähr wie folgt dar, wobei hochqualitative Materialgrenzen, die aus modernen Herstellungstechnologien resultieren, vorausgesetzt werden (ideale pseudomorphe Heterostrukturen):

• Die elektrostatische Potentialverteilung wie im Bulk-HL stellt sich im Abstand von etwa einer Monolage am Materialübergang ein. Das Konzept der Banddiskontinuität, also eines Sprunges der Bandkanten, ist tatsächlich anwendbar.
• Für gitterangepaßte Materialgrenzen wie AlGaAs/GaAs findet man:
  • $\Delta E_{\mathrm{v}}, \Delta E_{\mathrm{c}}$ sind praktisch unabhängig von der Kristallorientierung.
  • Kommutativität und Transitivität sind gut erfüllt.
  • $\Delta E_{\mathrm{v}}$ und $\Delta E_{\mathrm{c}}$ erscheinen als intrinsische Eigenschaften der beteiligten HL, weshalb allgemeine, lineare Modelle anwendbar sind. Neuere Theorien, im besonderen der ``model-solid'' Ansatz, liefern quantitativ gute Voraussagen.
• Im Fall gitterfehlangepaßter Kombinationen wie GaInAs/GaAs zeigt sich ein erheblicher, direkter Einfluß mechanischer Verspannung auf die Diskontinuitäten.
  • Kommutativität und Transitivität sind im allgemeinen nicht erfüllt.
  • In hochverspannten Kombinationen ist aufgrund der ungeklärten Abhängigkeit der atomaren Konfiguration von Verspannung und anderen Wachstumsbedingungen eine quantitativ sinnvolle prädiktive Aussage nicht möglich.
  • Für schwache bis mäßige Verspannung ($\vert e_\Vert\vert \leq 2\%$) liefert das ``model-solid'' Modell, das als einziges eine explizite Verspannungsabhängigkeit enthält, brauchbare Ergebnisse.
  • Die aufgrund von Spannnungsrelaxation auftretenden Effekte erschweren zusätzlich die Interpretation der Meßwerte beziehungsweise verläßliche theoretische Vorhersagen enorm.