Index

Abschirmung

Ionisierte Störstellen | Verbesserungen am Modell der | Verbesserungen am Modell der

adiabatische Approximation

3 Fundamentale Halbleitereigenschaften

akustische Deformationspotentialstreuung

Akustische Phononen

Al, Aluminium

1.1 III-V Halbleiter

AlAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

AlGaAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

AlGaInAs

Bandkanten

5.1.1 Materialabhängigkeit

gitterangepaßt

3.4.2 Quaternäre Legierungen

Amphoterizität

Autokompensation

Anion

1.1 III-V Halbleiter | Notation

Anisotropie

longitudinal

Verspannungsabhängigkeit im Hochfeldtransport

transversal

Verspannungsabhängigkeit im Hochfeldtransport

Verspannung

6.1.8 Einfluß mechanischer Spannung | Verspannungsabhängigkeit im Hochfeldtransport | Verspannungsabhängigkeit im Hochfeldtransport

annealing

Relaxation mechanischer Spannung in

As, Arsenide

1.1 III-V Halbleiter | 6.1.7 Dotierungsabhängigkeit | Beispiel GaAs

Autokompensation

Ionisierte Störstellen | 6.1.7 Dotierungsabhängigkeit | Autokompensation | Beispiel GaAs

band edge

3.2 Bandstruktur

band gap

3.2 Bandstruktur

band gap narrowing

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit | Entartungseffekte in der MC

Banddiskontinuität

6.2 Banddiskontinuitäten an Heterogrenzschichten

allgemeine Modelle

6.2.1 Allgemeine Modelle

model-solid Ansatz

Der ``model-solid'' Ansatz

selbstkonsistente Modelle

6.2.2 Selbstkonsistente Rechnungen für spezielle

Typ

6.2 Banddiskontinuitäten an Heterogrenzschichten

Verspannung

6.2.4 Einfluß mechanischer Spannung GaInAs/GaAs

Bandkanten

5.1 Bandkantenenergie

Dotierungsabhängigkeit

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit | Entartungseffekte in der MC

Gesamtmodell

5.1.5 Kombination

hydrostatische Deformation

Hydrostatische Verschiebung

Materialeinfluß

5.1.1 Materialabhängigkeit

Referenz

5.1 Bandkantenenergie

Renormalisierung

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Temperatureinfluß

5.1.2 Temperaturabhängigkeit

uniaxiale Deformation

Uniaxiale Beiträge im Leitungsband | Uniaxiale Beiträge im Valenzband

Verspannung

5.1.4 Einfluß mechanischer Spannung

Bandstruktur

3 Fundamentale Halbleitereigenschaften | 3.2 Bandstruktur

Berechnung

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Leitungsband

3.2 Bandstruktur

$\varGamma$, L, X Tal

3.2 Bandstruktur

Monte Carlo

6.1.4 Monte Carlo Methode

Valenzband

3.2 Bandstruktur

Bauelementsimulation

2 Modellierung

Beweglichkeit

akustische Phononen

Akustische Phononen

analytische Berechnung

6.1.2 Analytische Lösung

Definition

6.1 Elektronenbeweglichkeit

Dotierungsabhängigkeit

6.1.7 Dotierungsabhängigkeit

Feldabhängigkeit

6.1.9 Einfluß des elektrischen

Modellierung

Modellierung

hot electrons

6.1.3 Numerische Lösung

Ionisierte Störstellen

Ionisierte Störstellen

Legierungsinhomogenität

Legierungsinhomogenität

Materialeinfluß

6.1.5 Materialabhängigkeit

Minorität

Beweglichkeit von Minoritätselektronen.

numerische Berechnung

6.1.3 Numerische Lösung

Ohmscher Transport

6.1 Elektronenbeweglichkeit

optische Phononen

Optische Phononen

Temperatureinfluß

6.1.6 Temperaturabhängigkeit

Verspannung

6.1.8 Einfluß mechanischer Spannung

warm electrons

6.1.3 Numerische Lösung

biaxiale Verspannung

4.1.3 Mechanische Spannung

binäre Halbleiter

1.2 Halbleiterlegierungen

Blochfunktionen

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Bohrradius

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Boltzmanngleichung

6.1.1 Berechnung

Bondlänge

6.2.4 Einfluß mechanischer Spannung GaInAs/GaAs

bowing factor

4.1.1 Ternäre Legierungen | 5.1.1 Materialabhängigkeit | A Materialparameter

Brillouinzone

3.1 Kristallstruktur

Brooks-Herring Modell

Ionisierte Störstellen

Burger's vector

Relaxation mechanischer Spannung in

Burstein-Moss Effekt

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

C, Kohlenstoff

Autokompensation

coherent growth

1.3.2 Verspannte Schichten

common anion rule

6.2.1 Allgemeine Modelle

conductivity mass

5.2 Effektive Masse

Conwell-Weisskopf Modell

Ionisierte Störstellen

Deaktivierung

Ionisierte Störstellen | 6.1.7 Dotierungsabhängigkeit

Deformationspotential

Der ``model-solid'' Ansatz

Deformationspotentialtheorie

5.1.4 Einfluß mechanischer Spannung

Dehnungstensors

4.1.3 Mechanische Spannung

Deltadotierung

1.3.2 Verspannte Schichten

DH, double heterojunction

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Dirac Notation

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

dislocations

Relaxation mechanischer Spannung in

Doppelbarrierenstruktur

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

DOS mass

5.2 Effektive Masse | 5.2.5 Einfluß mechanischer Spannung | 6.1.8 Einfluß mechanischer Spannung

Drift-Diffusions Modell

6 Zusammengesetzte Größen | Modellierung

DX Zentren

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

effektive Masse

3.2 Bandstruktur | 5.2 Effektive Masse | 5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Dotierungsabhängigkeit

5.2.4 Dotierungsabhängigkeit | Entartungseffekte in der MC | Beispiel GaAs

Gesamtmodell

5.2.6 Kombination

Materialabhängigkeit

5.2.2 Materialabhängigkeit

Temperaturabhängigkeit

5.2.3 Temperaturabhängigkeit

Verspannung

5.2.5 Einfluß mechanischer Spannung

effektiven Masse Approximation

5.2 Effektive Masse | 5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Einfachbarrierenstruktur

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Elektronegativität

5.1.1 Materialabhängigkeit

Elektronentemperatur

6.1.2 Analytische Lösung | Beispiel GaAs | Ein hydrodynamisches Beweglichkeitsmodell für GaInAs

Elementarzelle

3.1 Kristallstruktur

Energierelaxationszeit

Modellierung | Ein hydrodynamisches Beweglichkeitsmodell für GaInAs

Energietransportmodell

6 Zusammengesetzte Größen

Entartung

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Monte Carlo

Entartungseffekte in der MC

Störstellen

Entartungseffekte in der MC

Epitaxie

1.3 Heterostrukturen | 1.3 Heterostrukturen

$F_{\mathrm{0}}$

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Fermi-Dirac

6.1.1 Berechnung | Entartungseffekte in der MC | Entartungseffekte in der MC

Integral

3.2.1 Statistik der Ladungsträger | Beispiel GaAs

$f_{\mathrm{max}}$

1.3.2 Verspannte Schichten

Formfaktor

Verbesserungen am Modell der | Beispiel GaAs | Beweglichkeit von Minoritätselektronen.

$f_{\mathrm{T}}$

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen | 1.3.2 Verspannte Schichten

Ga, Gallium

1.1 III-V Halbleiter

GaAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen | Beispiel GaAs | A Materialparameter

GaInAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

GaInPAs

Bandkanten

5.1.1 Materialabhängigkeit

gitterangepaßt

3.4.2 Quaternäre Legierungen

Ge, Germanium

1.1 III-V Halbleiter | Autokompensation

Gitteranpassung

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Gitterfehlanpassung

4.1.3 Mechanische Spannung

Gitterkonstante

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

$g_{\mathrm{m}}$

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Grenzflächenstreuung

Zusätzliche Einflüsse in Bauelementen

Größe

abgeleitet

2.1 Größenhierarchie | 5 Abgeleitete Größen

abhängig

2.1 Größenhierarchie | 2.3 Berücksichtigte Größen

fundamental

2.1 Größenhierarchie | 4 Fundamentale Größen | 4.1 Modellierung

konstitutiv

2.1 Größenhierarchie | 2.3 Berücksichtigte Größen

unabhängig

2.1 Größenhierarchie | 2.3 Berücksichtigte Größen

zusammengesetzt

2.1 Größenhierarchie | 6 Zusammengesetzte Größen

äußere

2.1 Größenhierarchie | 2.3 Berücksichtigte Größen

Größenhierarchie

2.1 Größenhierarchie

Hamilton Operator

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

HBT

1.3 Heterostrukturen | 1.3.2 Verspannte Schichten

$f_{\mathrm{T}}$

1.3.2 Verspannte Schichten

$f_{\mathrm{max}}$

1.3.2 Verspannte Schichten

Anwendungen

1.3.2 Verspannte Schichten

pseudomorph

1.3.2 Verspannte Schichten

heavy hole

3.2 Bandstruktur

HEMT

1.3 Heterostrukturen

$f_{\mathrm{T}}$

1.3.2 Verspannte Schichten

$f_{\mathrm{max}}$

1.3.2 Verspannte Schichten

AlGaAs/GaAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

AlGaAs/GaInAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

AlInAs/GaInAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen | 1.3.2 Verspannte Schichten

GaInAs/GaAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

pseudomorph

1.3.2 Verspannte Schichten

Heterostrukturen

1.3 Heterostrukturen

HFET

1.3 Heterostrukturen

Anwendungen

1.3.2 Verspannte Schichten

pseudomorph

1.3.2 Verspannte Schichten

hopping conduction

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

hydrodynamisches Modell

6 Zusammengesetzte Größen | Modellierung

I-VII Halbleiter

1.1 III-V Halbleiter

II-VI Halbleiter

1.1 III-V Halbleiter

III-V Halbleiter

1.1 III-V Halbleiter

Impulsoperator

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Impulsrelaxationszeit

6.1.2 Analytische Lösung | Modellierung

impurity band

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

In, Indium

1.1 III-V Halbleiter

InAs

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen | 6.1.9 Einfluß des elektrischen | A Materialparameter

InP

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Interpolation

4.1 Modellierung

Ionisierungsenergie

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit | Entartungseffekte in der MC

Ionisierungsgrad

Entartungseffekte in der MC

Isolator-Metall Übergang

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

IV-VI Halbleiter

1.1 III-V Halbleiter

Kane function

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Kation

1.1 III-V Halbleiter | Notation

kohärentes Wachstum

1.3.2 Verspannte Schichten

Kommutativität

6.2.1 Allgemeine Modelle

Kompensation

6.1.7 Dotierungsabhängigkeit | Beispiel GaAs

$\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Kristallstruktur

3 Fundamentale Halbleitereigenschaften | 3.1 Kristallstruktur

kritische Schichtdicke

Relaxation mechanischer Spannung in

Laser

1.3 Heterostrukturen

Legierung

1.2 Halbleiterlegierungen | 3.4 Legierungen

Definition

3.4 Legierungen

Konzentration

3.4 Legierungen | Notation

Notation

Notation

perfekt

3.4 Legierungen

quaternär

3.4.2 Quaternäre Legierungen

Typ I

3.4.2 Quaternäre Legierungen

Typ II

3.4.2 Quaternäre Legierungen

ternär

3.4.1 Ternäre Legierungen

Typ

Notation

Legierungsstreuung

3.4 Legierungen | Legierungsinhomogenität | 6.1.5 Materialabhängigkeit | 6.1.9 Einfluß des elektrischen

light hole

3.2 Bandstruktur

Linienversetzungen

Relaxation mechanischer Spannung in

LPE

1.3 Heterostrukturen

many body effects

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Matrixelement

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode | 5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

Matthiessen-Regel

6.1.2 Analytische Lösung | Kombinierte Beweglichkeit | 6.1.5 Materialabhängigkeit

maximale Schwingfrequenz

1.3.2 Verspannte Schichten

Maxwell-Boltzmann

6.1.1 Berechnung | 6.1.2 Analytische Lösung | Ein hydrodynamisches Beweglichkeitsmodell für GaInAs

MBE

1.3 Heterostrukturen

mechanische Spannung

4.1.3 Mechanische Spannung

Relaxation

Relaxation mechanischer Spannung in

misfit

4.1.3 Mechanische Spannung

MOCVD

1.3 Heterostrukturen

model-solid

Der ``model-solid'' Ansatz | 6.2.3 Gitterangepaßter Fall - | 6.2.4 Einfluß mechanischer Spannung GaInAs/GaAs

Modell

Definition

2 Modellierung

heuristisch

2.2 Modellhierarchie

physikalisch

2.2 Modellhierarchie

theoretisch

2.2 Modellhierarchie

Modellhierarchie

2.2 Modellhierarchie

MODFET

1.3 Heterostrukturen

Modularisierung

2.2 Modellhierarchie

mole fraction

3.4 Legierungen

Moment

6.1.1 Berechnung

Monte Carlo

6.1.4 Monte Carlo Methode

Ein-Partikel

6.1.4 Monte Carlo Methode

Ensemble

6.1.4 Monte Carlo Methode

Entartung

Entartungseffekte in der MC

parameterfrei

6.1.4 Monte Carlo Methode

Vollband

6.1.4 Monte Carlo Methode

Mott Übergang

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit | Entartungseffekte in der MC

N, Nitride

1.1 III-V Halbleiter

Nichtparabolizität

3.2 Bandstruktur | 5.2.4 Dotierungsabhängigkeit | 6.1.5 Materialabhängigkeit | Beispiel GaAs

optische Deformationspotentialstreuung

Optische Phononen

P, Phosphide

1.1 III-V Halbleiter | 6.1.7 Dotierungsabhängigkeit | Beispiel GaAs

Pauli Prinzip

6.1.1 Berechnung | Entartungseffekte in der MC | Beispiel GaAs

Peierlsche Reibung

Relaxation mechanischer Spannung in

Phononen

3 Fundamentale Halbleitereigenschaften | 3.3 Phononen

akustisch

3.3 Phononen

longitudinal

3.3 Phononen

optisch

3.3 Phononen

transversal

3.3 Phononen

Phononenstreuung

3.3 Phononen

piezoelektrische Streuung

Akustische Phononen

Plasmafrequenz

Plasmaschwingungen

Plasmonen

Plasmaschwingungen | Beweglichkeit von Minoritätselektronen.

Poissonzahl

4.1.3 Mechanische Spannung

polar-optische Phononenstreuung

Optische Phononen

PPC, persistent photoconductivity

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

pseudomorph

1.3.2 Verspannte Schichten | Relaxation mechanischer Spannung in | 6.1.8 Einfluß mechanischer Spannung

Pseudopotentialmethode

3.2 Bandstruktur

Quantisierung

Zusätzliche Einflüsse in Bauelementen

quantum dots

Relaxation mechanischer Spannung in

quaternäre Halbleiter

1.2 Halbleiterlegierungen

random alloy

3.4 Legierungen

Rauschzahl

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

relaxation time approximation

6.1.2 Analytische Lösung

Relaxationszeit

6.1.2 Analytische Lösung

residual strain

Relaxation mechanischer Spannung in

Sättigungsgeschwindigkeit

6.1.9 Einfluß des elektrischen

Sb, Antimonide

1.1 III-V Halbleiter

Schrödingergleichung

3.2 Bandstruktur | 5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

SH, single heterojunction

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Si, Silizium

1 Einleitung | Autokompensation | Beispiel GaAs | 6.1.9 Einfluß des elektrischen

Sn, Zinn

Autokompensation

split-off band

3.2 Bandstruktur

Materialeinfluß

5.1.1 Materialabhängigkeit

Statistik

Bose-Einstein

3.3 Phononen

Fermi-Dirac

3.2.1 Statistik der Ladungsträger

Ladungsträger

3.2.1 Statistik der Ladungsträger

Maxwell-Boltzmann

3.2.1 Statistik der Ladungsträger

Steilheit

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Stoßionisation

6.1.9 Einfluß des elektrischen

Stoßionisation

6.1.3 Numerische Lösung

strain relaxation

Relaxation mechanischer Spannung in

strained layer

1.3.2 Verspannte Schichten | 4.1.3 Mechanische Spannung

Stranski-Kastranov Wachstum

Relaxation mechanischer Spannung in

Streuamplitude

Verbesserungen am Modell der

Streuquerschnitt

Verbesserungen am Modell der

Streurate

6.1.1 Berechnung | Verbesserungen am Modell der

Streutheorie

3 Fundamentale Halbleitereigenschaften

Streuwahrscheinlichkeit

6.1.1 Berechnung

Störstellen

flach

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Ionisierungsenergie

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

Störungstheorie

5.2.1 Die $\mbox{${\vec{k} \cdot \vec{p}}$}$ Methode

superlattice

3.4 Legierungen | Legierungsinhomogenität

tail states

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit

ternäre Halbleiter

1.2 Halbleiterlegierungen

Thomas-Fermi Atommodell

Verbesserungen am Modell der

Transitfrequenz

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Transitivität

6.2.1 Allgemeine Modelle

trap

1.3.1 Gitterangepaßte Strukturen

Übergitter

3.4 Legierungen

Varshni Parameter

5.1.2 Temperaturabhängigkeit

Vegardsches Gesetz

4.1.1 Ternäre Legierungen

Verbindungshalbleiter

1 Einleitung

verspannte Schichten

1.3.2 Verspannte Schichten

Verteilungsfunktion

6.1.1 Berechnung

Vielteilcheneffekt

5.1.3 Dotierungsabhängigkeit | 5.2.4 Dotierungsabhängigkeit

virtuelles Substrat

1.3.2 Verspannte Schichten

warped band

3.2 Bandstruktur

Zustandsdichte

3.2.1 Statistik der Ladungsträger | 5.2.4 Dotierungsabhängigkeit

effektiv

3.2.1 Statistik der Ladungsträger

Zwischentalstreuung

6.1.9 Einfluß des elektrischen | Verspannungsabhängigkeit im Hochfeldtransport