8.3.1 Bauteilgeometrie

Die Bauteilgeometrie des betrachteten $0.18\mu m$ NMOS-Transistors ist in Abb. 8.11 dargestellt. Die Gateweite wird durch den Abstand der beiden dunkelgrau dargestellten Feldoxyde bestimmt, während die Gatelänge gleich der Breite des rot eingefärbten Polysiliziums ist. Sowohl die Gatelänge als auch die Gateweite wurden mit 0.18$\mu m$ gewählt. Die Dicke des Gateoxyds ist 5nm, während das hellgrau schattierte Streuoxyd 30nm stark ist.

  

Abbildung 8.11: Dreidimensionale Struktur des Transistors, bestehend aus Silizium-Block (grün), Feldoxyd (dunkelgrau) und dem Gate aus Polysilizium (rot). Die gesamte Struktur ist mit einem 30nm Streuoxyd bedeckt.