2.1 Aufbau und Wirkungsweise



next up previous contents
Next: 2.2 Grundlagen der GaAs Up: 2 Der Metal-Semiconductor Field-Effect Previous: 2 Der Metal-Semiconductor Field-Effect

2.1 Aufbau und Wirkungsweise

 

Der MESFET ist wie der Sperrschicht-FET ein unipolares Bauelement, in dem der Widerstand einer Halbleiterstrecke durch das elektrische Feld einer sogenannten Gateelektrode gesteuert werden kann. Der Ladungsträgertransport erfolgt im wesentlichen durch die im betrachteten Halbleitermaterial als Majoritätsträger vorhandenen Ladungsträger, d.h. Elektronen im n-Kanal und Löcher im p-Kanal Transistor. Ein MESFET besteht aus einem Halbleitersubstrat, auf dem drei Kontakte - Source, Gate und Drain - angebracht sind. Source und Drain werden durch ohmsche Kontakte mit möglichst geringem Kontaktwiderstand realisiert und bilden mit dem Halbleitersubstrat eine Widerstandsstrecke, deren Widerstand durch die Zusammensetzung des Halbleitermaterials bestimmt wird. Die Zusammensetzung des Halbleiters kann entweder durch selektive Dotierung oder durch eine bestimmte Schichtfolge (Epitaxie) erreicht werden. Wird nun zwischen Source und Drain ein gleichrichtender Kontakt (Schottkykontakt) aufgebracht, so entsteht unter diesem Kontakt im Halbleiter eine Verarmungszone, deren Ausdehnung durch die an diesem Kontakt angelegte Spannung gesteuert werden kann. Durch die Veränderung der Dicke der Verarmungszone wird auch der für den Stromfluß zur Verfügung stehende Querschnitt des Halbleitermaterials und damit dessen Widerstand verändert.

  
Abbildung 2.1: prinzipieller Aufbau eines MESFET

Abb. 2.1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines MESFET. Die Struktur des Bauteils mit den drei Kontakten Source, Gate und Drain auf der aktiven Schicht und die Form der Depletionszone (DPZ) unter dem Gatekontakt sind klar zu erkennen. Von der Dicke und Dotierung der aktiven Schicht hängt es nun ab, ob das bei durch den Schottkykontakt im Halbleiter erzeugte elektrische Feld ausreicht, den Kanal vollständig abzuschnüren oder nicht. Ist für kein leitender Kanal vorhanden, so spricht man vom ``normally-off'' MESFETim Gegensatz zum ``normally-on'' MESFETbei dem bei Strom fließt. Durch Anlegen einer positiven Spannung an das Gate kann man nun den ``normally-off'' Transistor aufsteuern. Allerdings ist dabei die positive Gatespannung durch die Barrierenhöhe des Schottkykontakts () begrenzt, da für höhere Gatespannungen die Gatediode voll aufgesteuert wird und die Transistorwirkung verloren geht. Bei ``normally-on'' Typen kann durch Anlegen einer negativen Gatespannung die Dicke des leitenden Kanals bis zur Abschnürung verringert werden.

Der Stromtransport in einem MESFET soll nun anhand eines Beispiels erläutert werden. Dazu betrachten wir die Elektronenkonzentration in einem Silizium und einem GaAs MESFET.

  
Abbildung 2.2: Aufbau und Geometrie des MESFET zur Erläuterung des Stromtransports

Der berechnete Transistor ist in Abb. 2.2 dargestellt. Er besteht aus einer konstant dotierten n-Schicht auf einem p-Substrat. Die Störstellenkonzentration der n-Schicht beträgt , die des Substrates . Die aktive Schicht ist dick. Die Gatelänge beträgt so wie der Source-Gate- und der Gate-Drain-Abstand . Erhöht man die Drainspannung bei konstanter Gatespannung, so steigt zunächst der Strom linear mit der Spannung an. Die Abbildungen 2.3 und 2.4 zeigen die Elektronenkonzentration bei und .

  
Abbildung 2.3: Elektronenkonzentration im Silizium MESFET und

  
Abbildung 2.4: Elektronenkonzentration im GaAs MESFET und

Man sieht den leitenden Kanal, der sich zur Drainseite hin verengt. Das Verhalten des Silizium- und des GaAs MESFET ist bei diesem Arbeitspunkt gleich. Erhöht man die Drainspannung weiter, so erreichen die Elektronen im Bereich I unter der Depletionszone die Sättigungsgeschwindigkeit und der Strom wird begrenzt. Im Bereich II kommt es zu einer Abschnürung des Kanals. Dieses Absinken der Elektronenkonzentration ist in Abb. 2.5, die den Silizium MESFET bei und zeigt, deutlich zu erkennen.

  
Abbildung 2.5: Elektronenkonzentration im Silizium MESFET und

Beim GaAs MESFET zeigt sich in diesem Arbeitspunkt eine zusätzliche Besonderheit. Aufgrund der speziellen Feldabhängigkeit der Driftgeschwindigkeit mit einem lokalen Maximum (vgl. Kap. 3.4) bildet sich im Bereich II eine lokale Dipolschicht aus Elektronen und einer schmalen Raumladungszone, eine sogenannte Domäne. Sie ist in den Abbildungen 2.6 und 2.7 deutlich an der Überhöhung der Elektronenkonzentration am drainseitigen Gateende zu erkennen. Die Domänenbildung kann zu spontaner Oszillation führen, wenn sich die Domäne unter dem Einfluß des elektrischen Feldes in Richtung Drain bewegt. Dieser Effekt wurde 1963 von Gunn experimentell entdeckt [23] und konnte mit der Theorie von Ridley und Watkins [69] und Hilsum [30] über den negativen differentiellen Widerstand ein Jahr später von Krömer [47] erklärt werden. Dieser Effekt wird in der Praxis zur Mikrowellenerzeugung in Gunndioden verwendet.

  
Abbildung 2.6: Elektronenkonzentration im GaAs MESFET und

  
Abbildung: Schnitt durch die Domäne im GaAs MESFET

Verringert man nun die Gatespannung, so kommt es zu einer Verengung bzw. einer vollständigen Abschnürung des Kanals. Dieser Fall ist in den Abbildungen 2.8 und 2.9 bei und dargestellt. Hier zeigen die beiden MESFETs wieder das gleiche Verhalten. Der Kanal ist vollständig abgeschnürt, die Domäne des GaAs MESFET wurde abgebaut.

  
Abbildung 2.8: Elektronenkonzentration im Silizium MESFET und

  
Abbildung 2.9: Elektronenkonzentration im GaAs MESFET und



next up previous contents
Next: 2.2 Grundlagen der GaAs Up: 2 Der Metal-Semiconductor Field-Effect Previous: 2 Der Metal-Semiconductor Field-Effect



Martin Stiftinger
Fri Oct 14 19:00:51 MET 1994