Als Resultat der vorangegangenen Überlegungen wurde die Festlegung
der Spacer-Länge auf 
und der LDD-Implantation auf
als optimaler Kompromiß zwischen
Unterdrückung heißer Ladungsträger und hohem Sättigungs-Drainstrom
getroffen. Das zugehörige Gesamtdotierungsprofil als Isolinen
mit skizzierter Gate- und Spacer-Struktur zeigt Abb. 6.13,
die Drain-Seite in axonometrischer Darstellung Abb. 6.14.
Abbildung: Isolinien der Gesamtdotierungskonzentration [
]
und schematische
Gate-Spacer-Struktur des optimierten LDD-
-MOSFETs.
Abbildung: Gesamtdotierungskonzentration []
der Drain-Seite des optimierten LDD--MOSFETs.
Die 
-Zone der optimierten LDD-Struktur hat ihr Maximum tief im
Silizium und weicht an der Grenzfläche deutlich vor der Kanaldotierung
zurück. Aufgrund der mit 
für eine LDD-Implantation relativ
hohen Implantationsenergie ist eine BLDD-Struktur
(buried LDD) [Wei86] entstanden. Im Vergleich von 18 zumeist LDD-artigen Drain-Strukturen
in [San89a] wird die BLDD-Struktur ganz generell bei Lebensdauer,
Stromtreiberfähigkeit und Kurzkanalverhalten jeweils als gut eingestuft.