Obwohl es in letzter Zeit vermehrt Anstrengungen gibt, gemischte Schaltungs- und Bauelementsimulationen durchzuführen (indem dafür geeignete Simulationswerkzeuge entwickelt wurden: mixed mode simulators), sind diese wegen der oftmalig durchzuführenden Bauelementsimulationen für reale Schaltungen mit relativ vielen Halbleiterbauelementen weitaus zu rechenzeitintensiv.
Die heutzutage tatsächlich verwendeten Bauelementmodelle für die Schaltungssimulation erlauben durch explizite analytische Beschreibungen eine äußerst schnelle Auswertung des Zusammenhangs zwischen den Randbedingungen der Schaltungssimulation (meist den Spannungen am Bauelement) und den daraus zu errechnenden Größen des Bauelements (Kontaktströme, Leitwerte und Kapazitäten) und werden auch als Kompaktmodelle bezeichnet. Sogar mit Hilfe weniger Iterationen numerisch, im Vergleich zu Bauelementsimulationen sehr schnell zu berechnende Zusammenhänge werden i.a. vermieden.
Da aus mehreren Gründen, die in dieser Arbeit noch ausführlich dargelegt werden, physikalisch motivierte Kompaktmodelle anderen vorzuziehen sind, ist die dem Bauelement zugrundeliegende Physik so vereinfacht in Formeln wiederzugeben, daß dies in expliziter, analytischer Form, aber auch mit ausreichender Genauigkeit geschieht. Eventuell vernachlässigte Effekte sind im nachhinein durch geeignete Näherungen im Modell zu berücksichtigen. Neben der Abspeicherung der gemessenen Bauelementcharakteristika in Tabellenform und deren Interpolation gibt es auch Ansätze für Kompaktmodelle über die Anpassung rein mathematisch motivierter Fitformeln, die die gemessenen Kurvenverläufe mittels Parametern ohne jede physikalische Bedeutung nachzubilden versuchen.
Voraussetzung für die Entwicklung eines physikalisch basierten, analytischen Kompaktmodells ist die Kenntnis der wesentlichen physikalischen Effekte im Bauelement. Eine sehr wirkungsvolle Methode, diese und ihre Abhängigkeiten zu identifizieren, ist die bereits angesprochene numerische Bauelementsimulation. Sie liefert - neben dem Vorteil, daß sie billiger, schneller, einfacher als das Fertigen von Prototypen ist - die Verteilungen aller wesentlichen Größen (Potential, Feldstärke, Elektronen- und Löcherverteilungen, Beweglichkeiten usw.) im Inneren des Bauelements. Die Möglichkeit, in das Bauelement ,,hineinzuschauen``, liefert wichtige Anhaltspunkte für die Entwicklung eines physikalisch motivierten Kompaktmodells.
Schaltungssimulationsprogramme beinhalten i.a. Kompaktmodelle für Standard-Halbleiterbauelemente (Dioden, Bipolartransistoren, MOSFETs usw.). Für die Verwendung selbstentwickelter Kompaktmodelle stellen moderne Netzwerksimulatoren (z.B. SPICE Version 3, SABER) wohldefinierte Schnittstellen zur Verfügung. Diese Schnittstellen wurden zur Einbindung des in dieser Arbeit entwickelten Kompaktmodells für DMOS-Transistoren verwendet.
DMOS-Transistoren für Spannungen zwischen 
und einigen 
und
Ströme bis einige 
haben in letzter Zeit u.a. wegen ihrer sehr guten
Integrationsmöglichkeiten auch in alltäglich verwendete elektronische
Schaltungen (Telefon, ABS-Systeme, Airbag-Zündkreise, Festplattenantriebe
usw.) Eingang gefunden und daher relativ hohe Stückzahlen erreicht.
Aufgrund des von Standard-MOSFETs wesentlich abweichenden Verhaltens des
DMOS-Transistors und der Komplexität dieser Schaltungen ist zur deren
Entwicklung ein Kompaktmodell des DMOS-Transistors absolut notwendig.